Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления

Формула / Реферат

Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.
Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.
Результаты могут быть использованы при создании полупроводниковых приборов различного функционального назначения.

МПК / Метки

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковый, гетеропереход, изготовления, способ

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/0-pp11566-poluprovodnikovyjj-geteroperehod-i-sposob-ego-izgotovleniya.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления</a>

Похожие патенты