Формула / Реферат

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в предлагаемом способеэлектроосаждение ведут при потенциале -0,5 В при30°, в качестве электропроводной подложкииспользуют стеклоуглерод, в качестве фоновогоэлектролита - водный раствор 0,45М Na2SO4в 0,05 М Н2SO4 при молярном соотношении кадмия (II) ктеллуру (IV), равном 1:1 в присутствии 1,7·10-4-1·10-3Мраствора 2,2'-дипиpидилa, удается упростить процесси получить пленки CdTe высокого качества.

МПК / Метки

МПК: H01L 49/02

Метки: способ, получения, пленки

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/0-pp13843-sposob-polucheniya-plenki-cdte.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения пленки CdTe</a>

Похожие патенты