Формула / Реферат

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода используют углеситаловый электрод, в качестве фонового электролита - водный раствор, содержащий, М: Na2SO4 - 0,45; H2SO4 - 0,05; In2(SO4)3×7H2O - 2×10-3; Na2SeO3 - 2×10-3, и электроосаждение ведут при потенциале - 0,75В, удается получать пленки строго заданного стехиометрического состава - In2Se3.

МПК / Метки

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18

Метки: соединения, пленки, приготовления, способ, in2se3

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/0-pp18149-sposob-prigotovleniya-plenki-soedineniya-in2se3.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ приготовления пленки соединения In2Se3</a>

Похожие патенты