Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой

Номер предварительного патента: 18150

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна

Формула / Реферат

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe с нанокристаллической структурой с размером зерен 80 Å путем электроосаждения при постоянном потенциале с наложением импульсного тока из органического растворителя, содержащий кадмий (II) и теллур (IV) не позволяет полностью устранить соосаждение элементарного теллура и фосфиновых групп вместе с осадком CdTe. Известный способ отличается большим количеством и длительностью операций. Благодаря тому, что в предлагаемом способе электроосаждение ведут из аммиачно-хлоридных буферных электролитов с рН 8,4-9,2 в присутствии 2,9×10-4М - 1×10-3М раствора 2,2-дипиридила, потенциале -1,1 В при 80 °С, удается получить чистые пленки CdTe с размером зерен от 100 до 30 А, не содержащие посторонних примесей, что позволяет увеличить эффективность фотоэлектронного преобразования солнечного излучения.

МПК / Метки

МПК: H01L 49/02

Метки: пленки, получения, способ, структурой, нанокристаллической

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/0-pp18150-sposob-polucheniya-plenki-cdte-s-nanokristallicheskojj-strukturojj.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой</a>

Похожие патенты