Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5

Формула / Реферат

Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам.
Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта.
Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5 на поверхность полупроводникового соединения наносят металл той же группы, что и металл, входящий в состав соединения, закрывают пленкой, смачиваемой металлом и прозрачной для лазерного излучения, и облучают лазерным излучением длительностью импульса и плотностью энергии, необходимой и достаточной для протекания процесса жидкостной эпитаксии, причем толщина металла (d) выбирается из условия
WÁ<d<(at)1/2/2,
где W - величина поверхностного слоя объемного заряда полупроводникового соединения, см;
A=(pz/M )x(l-2X)/X - коэффициент, учитывающий растворимость соединения в металле;
М - молярная масса соединения, г;
z - атомный вес металла, г;
- плотностъ соединения, г/см3;
p- плотность металла, г/см3;
Х - растворимость соединения в металле;
а - коэффициент теплопроводности;
t - длительность импульса излучения, с.

МПК / Метки

МПК: H01L 21/02

Метки: контактов, способ, а3в5, полупроводниковым, изготовления, омических, соединениям

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/0-pp8359-sposob-izgotovleniya-omicheskih-kontaktov-k-poluprovodnikovym-soedineniyam-a3v5.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5</a>

Похожие патенты