Способ измерения поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков

Номер инновационного патента: 20583

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Пузеева Марина Петровна, Юров Виктор Михайлович, Портнов Василий Сергеевич

Скачать PDF файл.

Формула / Реферат

Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в твердых телах, а именно измерению поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков, перспективных для использования в различных областях техники.
Способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости диэлектрической проницаемости от толщины пленки диэлектриков. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять поверхностное натяжение и плотность поверхностных состояний диэлектриков для обеспечения заданных параметров качественного изготовления материалов микроэлектроники, оптоэлектроники и получения новых диэлектрических материалов.

Текст

Смотреть все

(51) 01 27/76 (2006.01) КОМИТЕТ ПО ПРАВАМ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ МИНИСТЕРСТВА ЮСТИЦИИ РЕСПУБЛИКИ КАЗАХСТАН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ИННОВАЦИОННОМУ ПАТЕНТУ именно измерению поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков,перспективных для использования в различных областях техники. Способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости диэлектрической проницаемости от толщины пленки диэлектриков. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять поверхностное натяжение и плотность поверхностных состояний диэлектриков для обеспечения заданных параметров качественного изготовления материалов микроэлектроники,оптоэлектроники и получения новых диэлектрических материалов.(72) Юров Виктор Михайлович Портнов Василий Сергеевич Пузеева Марина Петровна(73) Республиканское государственное казенное предприятие Карагандинский государственный университет им. Е.А. Букетова Министерства образования и науки Республики Казахстан(56) Гохштейн Поверхностное натяжение твердых тел и адсорбция. М., Наука, 1976(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО НАТЯЖЕНИЯ И ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ ДИЭЛЕКТРИКОВ(57) Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в твердых телах, а 20583 Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения диэлектриков и касается технологии получения новых диэлектрических материалов для различных областей науки и техники. Способа измерения поверхностного натяжения диэлектриков при температурах ниже температуры плавления не существует. Известны способы измерения поверхностного натяжения твердых тел на границе раздела фаз металл-расплав, металлэлектролит (см. кн. Гохштейн Поверхностное натяжение твердых тел и адсорбция.-Москва Наука,1976, 400 с). Техническим результатом предполагаемого изобретения является экспериментальное определение поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков. Это достигается тем, что по измеренному тангенсу угла наклона зависимости диэлектрической проницаемости от обратной толщины пленки диэлектрика вычисляется величина его поверхностного натяжения. Зависимость диэлектрической проницаемости материала от толщины пленки описывается формулой(1 где- площадь поверхности пленки диэлектрика. Предлагаемый способ не имеет аналогов и позволяет определять важнейшие характеристики диэлектриков - поверхностное натяжение и плотность поверхностных состояний, которые определяет эксплуатационные свойства последних. Пример реализации изобретения Способ применяли для определения поверхностного натяжения диэлектрических кристаллов КС 1. Пленки получали на кварцевой подложке на вакуумной установке ВУП-5. Толщина пленки диэлектрика определялся с помощью металлографического микроскопа. Диэлектрическая проницаемость определялась стандартным емкостным методом. Результаты показаны на фиг. 1. В координатах 1/ экспериментальная кривая спрямляется в соответствии с (1), давая значение 22 мкм. Для КС 37,63 см 3 /моль и из соотношения (2) для поверхностного натяжения получено 6,56-105 эрг/см 2. Используя (3) длясо получено 8,65 105 эрг/см 2. Использование заявленного способа позволит управлять технологическими процессами получения диэлектрических материалов с заданными свойствами и изделий из них. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ где- молярный объем диэлектрикауниверсальная газовая постоянная Т - температура(К), при которой производится измерение. Построенная зависимость в координатах 1/(1/ - обратная толщина пленки диэлектрика) получается прямая, тангенс угла наклона, который определяет , и по формуле (2) рассчитывается поверхностное натяжение диэлектрика . Плотность поверхностных состоянийопределяется из уравнения Шаттльворта и Херинга с использованием найденного значения Способ измерения поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков,включающий измерения диэлектрической проницаемости диэлектрика, отличающийся тем,что по измеренному тангенсу угла наклона зависимости диэлектрической проницаемости от толщины пленки диэлектрика определяют величина поверхностного натяжения и по формуле Шаттльворта и Херинга вычисляют плотность поверхностных состояний.

МПК / Метки

МПК: G01N 27/76

Метки: поверхностных, измерения, состояний, натяжения, диэлектриков, плотности, способ, поверхностного

Код ссылки

<a href="http://kzpatents.com/3-ip20583-sposob-izmereniya-poverhnostnogo-natyazheniya-i-plotnosti-poverhnostnyh-sostoyanijj-dielektrikov.html" rel="bookmark" title="База патентов Казахстана">Способ измерения поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков</a>

Похожие патенты