Патенты с меткой «арсенида»

Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31479

Опубликовано: 15.09.2016

Авторы: Сатаева Сапура Саниевна, Бурахта Вера Алексеевна

МПК: G01N 27/30

Метки: способ, материала, полупроводникового, сенсора, арсенида, модифицирования, электрохимический, потенциометрического, основе, галлия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...

Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: фосфида, галлия-алюминия, способ, свободно, получения, расположенной, пленки, арсенида, монокристаллической

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21040

Опубликовано: 16.03.2009

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия-алюминия, монокристаллической, формирования, фосфида, способ, мембраны

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...

Способ получения отделенных пленок арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: отделенных, галлия-алюминия, получения, пленок, способ, арсенида, фосфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...