Патенты с меткой «интегральных»

Установка для регистрации единичных сбоев интегральных систем при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства

Номер инновационного патента: 31508

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Жантаев Жумабек Шабденамович, Төлендіұлы Санат, Жумабаев Бейбит Тенелович, Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич, Грищенко Валентина Феодоровна

МПК: G01R 31/26

Метки: пространства, сбоев, космического, систем, интегральных, установка, воздействии, заряженных, частиц, единичных, регистрации, тяжелых

Формула / Реферат:

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано для регистрации единичных сбоев в интегральных схемах (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства (КП) для оптимизации состава бортовой электронной аппаратуры. Установка, содержающая цилиндрическую камеру, источник излучения изотоп калифорния 252 (252Cf), предметный столик, электрические контакты, вакуумный вывод, вакуумную...

Способ регистрации единичных сбоев интегральных схем при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства

Номер инновационного патента: 31509

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Төлендіұлы Санат, Грищенко Валентина Феодоровна, Жантаев Жумабек Шабденамович, Бухарбаев Куралбай Сейтбаевич

МПК: G01R 31/28

Метки: сбоев, интегральных, регистрации, пространства, воздействии, способ, тяжелых, частиц, схем, единичных, космического, заряженных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам регистрации единичных сбоев интегральных схем (ИС) при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства (КП) и может быть использовано при испытаниях космических аппаратов. В результате регистрации единичных сбоев в ячейках модулей памяти в момент воздействия одиночных тяжелых ядер различных энергий осколками деления ОД, а -частицами от источника252 3Cf в вакууме ~ 10° торр. с дальнейшей...

Способ изготовления КМОП интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11243

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Медеуов Улугбек Идрисович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 21/8238

Метки: способ, изготовления, кмоп, схем, интегральных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления КМОП интегральных микросхем.Способ включает последовательное, на изолирующей подложке, с помощью соответствующих масок, эпитаксиальное наращивание столбиков кремния р-типа и n-типа, формирование комплиментарных пар МОП транзисторов, омических контактов и межсоединений.Новым является то, что вместо сапфировой подложки берут стеклянную или керамическую,...

Способ изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем

Номер предварительного патента: 4073

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Баекенов Марат Абдрахманович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 21/26

Метки: схем, способ, интегральных, биполярных, изготовления, транзисторов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов и интегральных схем. Настоящим изобретением достигается технический результат, состоящий в повышении радиационной стойкости кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем. В способе, включающем эпитаксиальное наращивание пленки кремния одного типа проводимости на кремниевой подложке другого типа проводимости, окисление,...