Патенты с меткой «облученных»

Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28731

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Шункеев Куанышбек Шункеевич, Нурмагамбетов Амантай Абилхаирович, Мясникова Людмила Николаевна, Бармина Александра Александровна, Сергеев Дәулет Мақсатұлы, Жантурина Нургул Нигметовна

МПК: F25D 3/10

Метки: регистрации, кристаллов, низкотемпературной, ионной, токов, проводимости, термостимулированной, деформированных, деполяризации, универсальный, облученных, криостат

Формула / Реферат:

Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных иоблученных кристалловИзобретение относится к криогенной технике, физике конденсированного состояния и материаловедения, а именно к способу регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов.Универсальный криостат позволяет...

Способ прогнозирования риска генетических последствий облучения малыми дозами у потомков облученных лиц

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25972

Опубликовано: 15.08.2012

Авторы: Мадиева Мадина Рашидовна, Манамбаева Зухра Алпысбаевна, Чайжунусова Найля Жакияновна, Жетписбаев Бекболат Адамович

МПК: G01N 33/48

Метки: способ, риска, последствий, малыми, потомков, лиц, генетических, дозами, облученных, облучения, прогнозирования

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области медицины, а именно к радиационной цитогенетике и может быть использовано при проведении профилактических и лечебных мероприятий у жителей, пострадавших от деятельности СИЯП.Способ применен у 50 доноров, проживающих в Абралинском и Бескарагайском районах ВКО, являющихся потомками лиц, подвергавшихся непосредственному облучению в период испытаний ядерного оружия на СИЯП.У потомков проводят цитогенетический анализ...