Патенты с меткой «облученных»

Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28731

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Жантурина Нургул Нигметовна, Шункеев Куанышбек Шункеевич, Бармина Александра Александровна, Мясникова Людмила Николаевна, Нурмагамбетов Амантай Абилхаирович, Сергеев Дәулет Мақсатұлы

МПК: F25D 3/10

Метки: регистрации, криостат, термостимулированной, деформированных, низкотемпературной, облученных, деполяризации, ионной, токов, проводимости, кристаллов, универсальный

Формула / Реферат:

Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных иоблученных кристалловИзобретение относится к криогенной технике, физике конденсированного состояния и материаловедения, а именно к способу регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов.Универсальный криостат позволяет...

Способ прогнозирования риска генетических последствий облучения малыми дозами у потомков облученных лиц

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25972

Опубликовано: 15.08.2012

Авторы: Жетписбаев Бекболат Адамович, Чайжунусова Найля Жакияновна, Мадиева Мадина Рашидовна, Манамбаева Зухра Алпысбаевна

МПК: G01N 33/48

Метки: потомков, способ, малыми, прогнозирования, облучения, риска, генетических, лиц, облученных, дозами, последствий

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области медицины, а именно к радиационной цитогенетике и может быть использовано при проведении профилактических и лечебных мероприятий у жителей, пострадавших от деятельности СИЯП.Способ применен у 50 доноров, проживающих в Абралинском и Бескарагайском районах ВКО, являющихся потомками лиц, подвергавшихся непосредственному облучению в период испытаний ядерного оружия на СИЯП.У потомков проводят цитогенетический анализ...