Патенты с меткой «полупроводниках»

Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Сериков Тулеуш Пауеденович

МПК: H01L 33/00, F21K 2/08

Метки: люминесцентного, полупроводниках, центров, способ, создания, интенсивного, излучения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...