Патенты с меткой «полупроводникового»

Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31479

Опубликовано: 15.09.2016

Авторы: Сатаева Сапура Саниевна, Бурахта Вера Алексеевна

МПК: G01N 27/30

Метки: галлия, сенсора, материала, способ, полупроводникового, потенциометрического, арсенида, модифицирования, основе, электрохимический

Формула / Реферат:

Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...

Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: ПИХАН, Этьенн, КАМЕЛ, Дэнис, КОУДУРИЕР, Николас

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, F28F 3/04...

Метки: теплообменник, полупроводникового, материала, отверждения, системы, кристаллизации

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25348

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Исенов Султанбек Сансызбаевич, Жакипов Нажмитден Берекелиулы, Копырин Владимир Сергеевич, Марковский Вадим Павлович, Утегулов Болатбек Бахитжанович

МПК: H02H 7/12, H02H 7/08

Метки: защиты, устройство, полупроводникового, дифференциальной, преобразователя, реверсивного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупроводниковых преобразователей. Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя, введены второй датчик переменного тока на входе реверсивного преобразователя, к выходу которого подключен второй выпрямитель, к выходу которого подключен линейный элемент. Блок диагностики силового...

Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/208

Метки: способ, группы, получения, металла, кластеров, подложке, полупроводникового, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Устройство для дифференциальной защиты полупроводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов

Номер предварительного патента: 19641

Опубликовано: 16.06.2008

Автор: Марковский Вадим Павлович

МПК: H02H 7/12

Метки: магнитоуправляемых, использованием, защиты, преобразователя, дифференциальной, устройство, полупроводникового, приборов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупро-водниковых преобразователей.Технический результат изобретения - повыше-ние надежности и быстродействия.Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты полуп-роводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов, введены магнито-диод, находящийся внутри катушки подключенной на выходе выпрямителя,...