Патенты с меткой «полупроводниковых»

Способ получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов металлов

Загрузка...

Номер патента: 3811

Опубликовано: 15.03.2001

Автор: Теут Андрей Олегович

МПК: C22C 1/03, C22C 32/00, C30B 29/12...

Метки: получения, полупроводниковых, основе, металлов, способ, материалов, халькогенидов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно халькогенидов висмута, сурьмы, свинца, цинка, олова, германия и твердых растворов на их основе.Задача - разработка способа получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов тяжелых цветных металлов с надежно воспроизводимыми и устойчивыми термоэлектрическими свойствами.Технический результат достигается тем, что исходные материалы, представляющие халькогены, и тяжелые...

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок

Номер предварительного патента: 9566

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксии, полупроводниковых, пленок, устройство, жидкостной

Формула / Реферат:

Предлагается устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок сдвигового типа, включающее подложкодержатель с выемкой для подложки и расположенный на нем блок с отверстием для расплава, размер которого в направлении движения подложкодержателя меньше длины выемки для подложки. Подложкодержатель имеет ступеньку, примыкающую к выемке для подложки и имеющую высоту не менее размера отверстия для расплава в направлении движения...

Способ получения полупроводниковых тонкопленочных структур

Загрузка...

Номер патента: 1312

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/78

Метки: тонкопленочных, способ, полупроводниковых, получения, структур

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения на кристаллы тонкопленочных полупроводниковых структур, используемых отдельно от затравочной подложки. Цель изобретения - расширение технологических возможностей способа за счет совмещения операций отделения структуры и разделения ее на кристаллы. При отделении от затравочной подложки выращенной на ней тонкопленочной полупроводниковой структуры...