Патенты с меткой «полупроводниковый»

Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20594

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Кумеков Серик Ешмухамбетович, Лисицкий Олег Леонидович, Верменичев Борис Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/04

Метки: тонкопленочный, полупроводниковый, получения, гетеропереход, способ

Формула / Реферат:

Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...

Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления

Номер предварительного патента: 11566

Опубликовано: 15.05.2002

Авторы: Даутов Аскар Леонидович, Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич, Досмаилов Меержан Абишевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, гетеропереход, полупроводниковый

Формула / Реферат:

Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...