Антощенко Евгений Владимирович

Комбинированный преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич, Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/06

Метки: солнечной, преобразователь, комбинированный, энергии

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Мессерле Владимир Ефремович

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия-алюминия, способ, расположенной, получения, фосфида, пленки, арсенида, монокристаллической, свободно

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, излучения, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/208

Метки: соединения, кластеров, способ, полупроводникового, металла, группы, получения, подложке

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...