C25D 9/04 — неорганическими материалами

Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: пленки, двухстадийный, cuinxga1-x, повышенным, содержанием, галлия, способ, приготовления, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.

Загрузка...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: cugase2, способ, пленки, приготовления, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Изобретения категории «неорганическими материалами» в СССР.

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26734

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Фогель Лидия Алексеевна, Айт Сауык, Ахмет Окен, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: G01N 27/26, G01N 27/48, C25D 9/04...

Метки: защитной, ингибитора, концентрации, коррозии, стали, способ, определения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии стали. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали методом поляризационного сопротивления имеет ряд огра­ничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благода­ря тому, что в предложенном способе...

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии латуни

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26733

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Ахмет Окен, Айт Сауык, Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Фогель Лидия Алексеевна, Журинов Мурат Журинович, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 31/18, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: латуни, способ, ингибитора, коррозии, концентрации, определения, защитной

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии латуни. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе определение...

Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: получения, cuinse2, соединения, пленки, цементации, способ, методом

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Способ определения концентрации селена (IV)

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23782

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Журинов Мурат Журинович

МПК: G01N 27/48, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: концентрации, определения, селена, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к инверсионно-вольтамперометрическому способу анализа селена (IV). Известный способ анализа селена (IV) на электроактивных (серебряный, свинцовый) электродах, с использованием в качестве фонового электролита 0,1 М HCI с добавлением меди, содержит большое количество операций и обладает невысокой воспроизводимостью. Благодаря тому, что в предложенном способе анализ селена (IV) проводят на электроактивном медном дисковом...

Способ приготовления пленки соединения CuInxGa1-xSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: O1L 31/18, C25D 9/04, O1L 31/06...

Метки: соединения, cuinxga1-xse2, пленки, способ, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...

Способ получения пленки CdTe из неводного электролита на основе этиленгликоля

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22447

Опубликовано: 15.04.2010

Авторы: Гуделева Наталья Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Ким Ирина Эдуардовна, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: C25D 9/04

Метки: способ, этиленгликоля, пленки, получения, основе, электролита, неводного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...

Способ получения пленки CuInSe2 с нанокристаллической структурой

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21818

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Журинов Мурат Журинович

МПК: O1L 31/18, O1L 31/06, C25D 9/04...

Метки: пленки, нанокристаллической, получения, cuinse2, структурой, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводнико­вого соединения CuInSe2 с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CuInSe2 с разме­ром зерен 300-500 Å путем внутреннего электролиза (цементации) на мед­ной подложке из раствора 2М NH4CI, содержащего индий (III) и селен (IV), не позволяет получить пленку CuInSe2 с меньшим размером зерен.Благодаря тому, что в предложенном...

Способ получения пленки Cu2Se

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21145

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: cu2se, получения, способ, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20093

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Протопопова Гертруда Димитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: соединения, cuinse2, пленки, приготовления, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Чайкин Владимир Владимирович, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: cuinse2, соединения, пленки, приготовления, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: пленки, приготовления, соединения, in2se3, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: пленки, cu2se, способ, соединения, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 9/04, C25D 5/50, H01L 31/06...

Метки: способ, пленки, гетероструктуры, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...