C30B 29/06 — кремний

Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис, ПИХАН, Этьенн

МПК: C30B 29/06, F28F 3/04, C30B 11/00...

Метки: теплообменник, системы, отверждения, материала, кристаллизации, полупроводникового

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Устройство для получения кристаллического материала в тигле, имеющем неравномерное тепловое сопротивление

Загрузка...

Номер патента: 30494

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: ПИАН, Этьен, ЖУЕНИ, Анис, КАМЭЛЬ, Дэни, КУСТЬЕ, Фабрис

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/06...

Метки: материала, сопротивление, тепловое, кристаллического, тигле, неравномерное, получения, имеющем, устройство

Текст:

...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...

Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Чучвага Николай Алексеевич, Омаров Марат Ахметович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Клименов Василий Васильевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C30B 30/04, C30B 30/02, C30B 29/06...

Метки: тонкопленочных, структур, получения, способ, основе, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Способ получения монокристаллического кремния из рудного сырья и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21224

Опубликовано: 15.05.2009

Авторы: ТЕН Роберт Константинович, КИМ Леонид Алексеевич

МПК: C01B 33/025, C30B 29/06, C01B 33/023...

Метки: способ, монокристаллического, осуществления, устройство, способа, сырья, кремния, рудного, получения

Формула / Реферат:

Предлагаемый способ и устройство относятся к технологии получения монокристаллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния.Задачей предлагаемого технического решения является создание способа получения моно-кристалллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния и...

Монокристалл силикагеля

Номер предварительного патента: 8313

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Тогжигитов Кадыр, Ерматов Садвакас Ерматович, Бактыбаев Киргизбай

МПК: C30B 29/06

Метки: монокристалл, силикагеля

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...

Поликристалл силикагеля

Номер предварительного патента: 8314

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Тогжигитов Кадыр, Орозбаев Раш, Бактыбаев Киргизбай, Бишимбаев Валихан Козыкеевич

МПК: C30B 29/06

Метки: поликристалл, силикагеля

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...