Дергачева Маргарита Борисовна

Способ изготовления тонких пленок ZnS

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гульнур Марсовна, Леонтьева Ксения Александровна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович, Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C01G 9/08, C23C 16/30, H01L 31/06...

Метки: способ, тонких, пленок, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Способ приготовления коллоидных растворов сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Гуделева Наталия Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна, Хусурова Гулинур Марсовна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, G02B 5/20...

Метки: способ, кадмия, сульфида, приготовления, коллоидных, растворов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: повышенным, содержанием, способ, приготовления, пленки, двухстадийный, соединения, cuinxga1-x, галлия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.

Загрузка...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Бейсембаева Гульнар Жакаевна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: cugase2, соединения, пленки, способ, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: пленки, цементации, cuinse2, способ, получения, методом, соединения

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Способ приготовления пленки соединения CuInxGa1-xSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22689

Опубликовано: 15.07.2010

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Пенькова Наталья Владимировна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: O1L 31/18, O1L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, приготовления, пленки, способ, cuinxga1-xse2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...

Способ получения пленки CdTe из неводного электролита на основе этиленгликоля

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22447

Опубликовано: 15.04.2010

Авторы: Ким Ирина Эдуардовна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Пенькова Наталья Владимировна

МПК: C25D 9/04

Метки: способ, неводного, электролита, пленки, этиленгликоля, основе, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...

Электролизер для осаждения пленки CdTe

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20696

Опубликовано: 15.01.2009

Автор: Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C25D 17/00

Метки: электролизер, пленки, осаждения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройствам электролизера для осаждения пленки CdTe. Предложенный электролизер включает непроточный реактор, снабженный электродами. В качестве электродов используют четыре анода, выполненные из графита, и восемь катодов, выполненных из стеклянных пластин, покрытых оксидом олова с нанесенным на него слоем сульфида кадмия. Электроды размещены в вертикальной плоскости реактора в следующем чередовании: катод- анод- катод-...

Способ получения пленки сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20074

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Пенькова Наталья Владимировна, Протопопова Гертруда Димитровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталия Николаевна

МПК: C23C 18/06, C01G 11/02

Метки: сульфида, кадмия, пленки, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленок сульфида кадмия, который широко используют в полупроводниковых приборах. Известный способ получения сульфида кадмия химическим осаждением из щелочного раствора комплексной соли кадмия тиомочевиной не позволяет получать пленки высокого качества. Благодаря тому что в предложенном способе осаждение ведут на стеклянную подложку, покрытую пленкой оксида олова из раствора, содержащего, М: сульфат...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: пленки, приготовления, cuinse2, соединения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: приготовления, способ, пленки, in2se3, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой

Номер предварительного патента: 18150

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 49/02

Метки: способ, структурой, нанокристаллической, пленки, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe с нанокристаллической структурой с размером зерен 80 Å путем электроосаждения при постоянном потенциале с наложением импульсного тока из органического растворителя, содержащий кадмий (II) и теллур (IV) не позволяет полностью устранить соосаждение...

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: соединения, способ, пленки, приготовления, cu2se

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Способ получения соединения CdxHg(1-x)Te в виде пленки

Загрузка...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 15.06.2006

Авторы: Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C01G 19/04, C01G 11/00, C01G 13/00...

Метки: cdxhg(1-x)te, соединения, виде, пленки, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения полупроводникового соединения CdõHg1-õTe, иcпользуемого в детекторах ИК-излучения, для пре­образования излучения в области длин волн 8-13 мкм и для преобразования солнечного излучения как составляющая часть в каскадном элементе.Существующие методы не позволяют получать пленки однородного заданного состава.По предлагаемому способу пленки CdхHg1-хTe полу­чают путем электрохимического...

Композиция для ртутных ламп высокого давления

Номер предварительного патента: 16507

Опубликовано: 15.11.2005

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01J 61/20, H01J 61/18

Метки: высокого, ламп, ртутных, композиция, давления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к светотехническойпромышленности, в частности, к составам композиции для наполнения газоразрядных ламп высокогодавления типа ДРЛ. Известная композиция, содержащая ртуть и олово, не обеспечивает достаточновысокий индекс цветопередачи и красное отношение для ртутных ламп высокого давления. Благодаря тому, что предлагаемая композиция дополнительно содержит свинец при следующем соотношении компонентов, мас. % : ртуть - 20-52;...

Электролит для получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 15423

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: C25D 3/26, C25D 3/00, C25D 3/02...

Метки: пленки, получения, электролит

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4 М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного осаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...

Электролит для получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 15424

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 3/00, C25D 3/02, C25D 3/26...

Метки: электролит, пленки, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного соосаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...

Способ получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 49/02

Метки: пленки, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...

Способ получения пленок теллурида ртути и их идентификации

Номер предварительного патента: 10138

Опубликовано: 16.04.2001

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна

МПК: H01L 49/02

Метки: ртути, пленок, теллурида, получения, идентификации, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...

Способ вольтамперометрического определения теллура (IV) в металлических сплавах

Номер предварительного патента: 7424

Опубликовано: 15.04.1999

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: G01N 27/48, C01B 19/00

Метки: сплавах, металлических, вольтамперометрического, определения, способ, теллура

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к способам определения теллура (IV) в растворах вольтамперометрическим методом.Для упрощения способа определения теллура (IV) и расширения диапазона определяемой концентрации предложен способ вольтамперометрического определения теллура в металлических сплавах с использованием никелевого индикаторного электрода.Способ основан на электровосстановлении металлического теллура до...

Способ полярографического определения индия в металлическом галлии

Номер предварительного патента: 5611

Опубликовано: 15.12.1997

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: G01N 27/48

Метки: определения, способ, полярографического, металлическом, индия, галлии

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области аналитического определения индия в металлическом галлии. Предлагаемый полярографический способ позволяет определять индий в присутствии большого количества галлия в одну стадию путем перевода анализируемой пробы в раствор фонового электролита с последующей регистрацией максимального тока электровосстановления и определением индия по калибровочной зависимости максимального тока электровосстановления от концентрации...

Электролит с рубидий-катионной проводимостью

Загрузка...

Номер патента: 4120

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Хобдабергенова Гульмира Рзабаевна, Шатрова Елена Геннадьевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Касьянов Эрнст Алексеевич

МПК: G01N 27/406

Метки: рубидий-катионной, проводимостью, электролит

Формула / Реферат:

Изобретение относится к разработке и применению электродно-активных материалов, в частности электролита с рубидий-катионной проводимостью, необходимого для создания рубидиевого электрода сравнения. Цель изобретения - повышение устойчивости электролита и обеспечение ионной проводимости по рубидию в солевых и металлических расплавах в интервале 150- 500°С. Поставленная цель достигается тем, что электролит с рубидий-катионной проводимостью содержит...

Электролит с цезий-катионной проводимостью

Загрузка...

Номер патента: 3583

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Хобдабергенова Гульмира Рзабаевна, Шатрова Елена Геннадьевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: G01N 27/406

Метки: проводимостью, цезий-катионной, электролит

Формула / Реферат:

Изобретение относится к разработке и применению электродно-активных материалов, в частности электролита с цезий-катионной проводимостью, необходимого для создания цезиевого электрода сравнения. Цель изобретения - повышение устойчивости электролита и обеспечение ионной проводимости по цезию в солевых и металлических расплавах в температурном интервале 150-600°С. Поставленная цель достигается тем, что электролит с цезий-катионной проводимостью...