Дмитриев Александр Григорьевич

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5

Номер предварительного патента: 8359

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич, Дмитриев Александр Григорьевич

МПК: H01L 21/02

Метки: омических, изготовления, способ, соединениям, полупроводниковым, контактов, а3в5

Формула / Реферат:

Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...