F21K — Источники света, не отнесенные к другим группам

Способ понижения температуры нагрева светодиода (варианты)

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27078

Опубликовано: 14.06.2013

Авторы: Тарасенко Игорь Романович, Әбдіғапар Сағадат Едігеұлы

МПК: F21K 99/00

Метки: способ, понижения, температуры, светодиода, варианты, нагрева

Формула / Реферат:

В мире ускоренными темпами идёт процесс замены люминесцентных и ламп накаливания на более эффективные источники излучения света на полупроводниковые светодиодные лампы (LED). Исключительным достоинством LED является то, что их потребляемая мощность в несколько раз меньше, а срок их службы составляет в 10-20 раз больше по сравнению с традиционными и люминесцентными лампами. Сам по себе светодиод может светить очень долго, возможно, что и 100...

Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечением люминофоров “Технология “GREENLIGHT”

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26626

Опубликовано: 25.12.2012

Авторы: Калиуллин Сержан Кабылкакович, Шакенов Ердулла Абдирханулы, Кондыбаев Ерлан Сергазиевич, Аязбаев Серик Абуталипович, Копбосынов Нурлан Бектасович

МПК: C09D 5/22, F21K 2/00

Метки: прибора, изготовления, greenlight, способ, длительным, послесвечением, люминофоров, технология, светового

Формула / Реферат:

Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечениемлюминофоров «Технология «GREENLIGHT»Жарық тускеннен кейін өздігінен жарқырайтын люминофорлы«Технология «GREENLIGHT» жарық аспабын жасау тәсілі Изобретение относится области светотехники и может быть использовано при создании световых приборов различных модификаций, основанных на длительном послесвечении люминофоров, после прекращения их возбуждения...

Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов

Номер предварительного патента: 14383

Опубликовано: 05.05.2004

Автор: Сармуханов Ербол Тулегенович

МПК: F21K 2/00, H01L 33/00

Метки: способ, собственной, усиления, люминесценции, щелочногалоидных, кристаллов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к физике твердого телаи может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов - твердотельных сцинтилляционных детекторов.Результатом изобретения является улучшениелюминесцентных свойств, обусловленное увеличением интенсивности полосы излучения, повышениенадежности и долговечности, простота реализацииспособа усиления собственной люминесценции,упрощение технологии изготовления, стабильностьи улучшение их...

Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович

МПК: F21K 2/08, H01L 33/00

Метки: полупроводниках, излучения, способ, центров, люминесцентного, создания, интенсивного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...