F21K — Источники света, не отнесенные к другим группам

Способ понижения температуры нагрева светодиода (варианты)

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27078

Опубликовано: 14.06.2013

Авторы: Тарасенко Игорь Романович, Әбдіғапар Сағадат Едігеұлы

МПК: F21K 99/00

Метки: способ, варианты, светодиода, температуры, нагрева, понижения

Формула / Реферат:

В мире ускоренными темпами идёт процесс замены люминесцентных и ламп накаливания на более эффективные источники излучения света на полупроводниковые светодиодные лампы (LED). Исключительным достоинством LED является то, что их потребляемая мощность в несколько раз меньше, а срок их службы составляет в 10-20 раз больше по сравнению с традиционными и люминесцентными лампами. Сам по себе светодиод может светить очень долго, возможно, что и 100...

Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечением люминофоров “Технология “GREENLIGHT”

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26626

Опубликовано: 25.12.2012

Авторы: Копбосынов Нурлан Бектасович, Кондыбаев Ерлан Сергазиевич, Аязбаев Серик Абуталипович, Калиуллин Сержан Кабылкакович, Шакенов Ердулла Абдирханулы

МПК: F21K 2/00, C09D 5/22

Метки: способ, люминофоров, greenlight, светового, прибора, длительным, технология, послесвечением, изготовления

Формула / Реферат:

Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечениемлюминофоров «Технология «GREENLIGHT»Жарық тускеннен кейін өздігінен жарқырайтын люминофорлы«Технология «GREENLIGHT» жарық аспабын жасау тәсілі Изобретение относится области светотехники и может быть использовано при создании световых приборов различных модификаций, основанных на длительном послесвечении люминофоров, после прекращения их возбуждения...

Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов

Номер предварительного патента: 14383

Опубликовано: 05.05.2004

Автор: Сармуханов Ербол Тулегенович

МПК: H01L 33/00, F21K 2/00

Метки: кристаллов, люминесценции, усиления, собственной, способ, щелочногалоидных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к физике твердого телаи может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов - твердотельных сцинтилляционных детекторов.Результатом изобретения является улучшениелюминесцентных свойств, обусловленное увеличением интенсивности полосы излучения, повышениенадежности и долговечности, простота реализацииспособа усиления собственной люминесценции,упрощение технологии изготовления, стабильностьи улучшение их...

Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Сериков Тулеуш Пауеденович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Ибраев Бауржан Мухтарханович

МПК: H01L 33/00, F21K 2/08

Метки: интенсивного, излучения, способ, центров, создания, полупроводниках, люминесцентного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...