F21K 2/08 — возбуждаемую электрическим полем, т.е. электролюминесценцию

Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович

МПК: F21K 2/08, H01L 33/00

Метки: люминесцентного, интенсивного, создания, излучения, центров, полупроводниках, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...