F21K 2/08 — возбуждаемую электрическим полем, т.е. электролюминесценцию

Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках

Номер предварительного патента: 8724

Опубликовано: 15.03.2000

Авторы: Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович, Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович

МПК: H01L 33/00, F21K 2/08

Метки: способ, центров, излучения, полупроводниках, люминесцентного, интенсивного, создания

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...