Григорьева Валентина Петровна

Способ получения пленки CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21146

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06

Метки: получения, пленки, cuinse2, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида индия меди CuInSe2. Известный способ получения пленки диселенида индия меди путем электроосаждения на титановую или никелевую подложки из раствора, содержащего InСI3, CuCI, SeO2 при силе тока 6мА/см2 и напряже­нии -0,7 + -0,5 В (нормальный каломельный электрод) не позволяет получать пленки CuInSe2 со строго заданным фазовым составом.Благодаря тому, что в предложенном способе...

Способ получения пленки Cu2Se

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21145

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: cu2se, способ, получения, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20093

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Протопопова Гертруда Димитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: способ, cuinse2, пленки, приготовления, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: способ, приготовления, соединения, cuinse2, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: пленки, in2se3, приготовления, способ, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Электролит для получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 15423

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C25D 3/00, C25D 3/02, C25D 3/26...

Метки: пленки, электролит, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4 М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного осаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...

Электролит для получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 15424

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 3/00, C25D 3/26, C25D 3/02...

Метки: электролит, пленки, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного соосаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...

Способ получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 49/02

Метки: пленки, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...