H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Комбинированный преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/06

Метки: преобразователь, энергии, комбинированный, солнечной

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Цементный продукт, способ его изготовления, неструктурное применение и тонкопленочное фотоэлектрическое устройство на его основе

Загрузка...

Номер патента: 31462

Опубликовано: 31.08.2016

Авторы: РАМПИНЕЛЛИ, Флавио, КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта

МПК: B29C 67/24, B28B 7/36, C04B 28/04...

Метки: устройство, изготовления, цементный, тонкопленочное, фотоэлектрическое, способ, основе, продукт, применение, неструктурное

Текст:

...хностине более 500 нм цементному продукту на этапе разливки. 21. Способ по п.19 или 20, отличающийся тем,что используют металлическую литейную форму,имеющую вертикальные стенки для цементных применений многократного типа, состоящую из рядов множества стенок,разнесенных и соединенных вместе, по крайней мере, частично или полностью покрытых с внутренней стороны,приспособленных производить одновременно множество продуктов равной или разной...

Способ для получения кристаллического материала направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления, снабженное дополнительным боковым источником тепла

Загрузка...

Номер патента: 31438

Опубликовано: 15.08.2016

Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ЖУЕНИ, Анис

МПК: C30B 11/00, C30B 28/06, C01B 33/02...

Метки: тепла, осуществления, способ, кристаллизацией, кристаллического, направленной, снабженное, источником, боковым, дополнительным, материала, получения, устройство

Текст:

...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...

Способ повышения эффективности фотоэлектрического водоподъемника

Загрузка...

Номер патента: 31396

Опубликовано: 29.07.2016

Авторы: Сарбасов Дастан Джурмаханбетович, Новохатский Владимир Николаевич

МПК: H01L 31/052

Метки: повышения, фотоэлектрического, водоподъемника, эффективности, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к возобновляемым источникам энергии, в частности, к фотоэлектрическим водоподъемникам.Задача изобретения - создание эффективного водоподъемника.Технический результат изобретения - упрощение конструкции, снижение трудоемкости при его монтаже и эксплуатации в различных условиях местности, повышение эффективности охлаждения и очистки поверхности фотоэлектрических панелей за счет введения системы электронного управления работой...

Светодиодная нить

Загрузка...

Номер полезной модели: 1523

Опубликовано: 30.06.2016

Авторы: Аукенов Талгат Бейсембаевич, Таукенов Амангельды Сагатович, Бектурганов Нуралы Султанович, Лишик Сергей Иванович, Докторов Вячеслав Викторович, Трофимов Юрий Васильевич

МПК: H01L 33/48

Метки: нить, светодиодная

Формула / Реферат:

Полезная модель относится к области светотехники и оптоэлектроники и может быть использована в качестве источника света в светодиодных лампах.Техническим результатом являются увеличение поверхности теплообмена и уменьшение теплового сопротивления между светодиодной нитью и газовой средой в лампе, уменьшение температуры светодиодов в нити и, соответственно, повышение срока службы светодиодов.Это достигается тем, что светодиодная нить, состоящая...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Мессерле Владимир Ефремович, Лаврищев Олег Александрович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, фотопреобразователь, излучения

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Цементное изделие с гладкой поверхностью, способ его изготовления, его применение и электрическое устройство с ним

Загрузка...

Номер патента: 31194

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: АЛФАНИ, Роберта, РОМБОЛА' ОТТАВИО, Антонио, КАПОНЕ, Клаудиа

МПК: H01L 31/048, C04B 41/63

Метки: применение, устройство, цементное, способ, ним, изделие, изготовления, поверхностью, электрическое, гладкой

Текст:

...ку здания. 14. Электрическое устройство, отличающееся тем, что включает одно или более изделий по п.п.9-13. 15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что является фотоэлектрическим устройством. 16. Применение одного или более изделий по п.п.9-13 в качестве компонентов электрических, в частности фотоэлектрических устройств. 17. Применение по п.16, при котором устройство используется в области интеграции фотоэлектрических модулей в оболочку...

Способ изготовления тонких пленок ZnS

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Леонтьева Ксения Александровна, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Хусурова Гульнур Марсовна

МПК: H01L 31/06, C23C 16/30, C01G 9/08...

Метки: изготовления, тонких, способ, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Способ приготовления коллоидных растворов сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталия Николаевна, Леонтьева Ксения Александровна, Хусурова Гулинур Марсовна

МПК: G02B 5/20, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: растворов, приготовления, сульфида, способ, кадмия, коллоидных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Установка для закаливания изделий из железа

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30678

Опубликовано: 15.12.2015

Авторы: Болегенова Салтанат Алихановна, Туякбаев Даулет Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 27/00

Метки: железа, закаливания, изделий, установка

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области измерительных приборов и электронных систем.Установка для закаливания изделий из железа включает в себя бак с водой, печь и устройство, удерживающее раскаленные изделия из железа.Новым является то, что над раскаленными изделиями устанавливают цветодатчик, который при достижении цвета раскаленного изделия до необходимого (фиолетового или красного, или другого) выдает сигнал, приводящий в действие, с...

Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: ПИХАН, Этьенн, КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис

МПК: F28F 3/04, C30B 29/06, C30B 11/00...

Метки: системы, теплообменник, полупроводникового, материала, кристаллизации, отверждения

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Сегментный концентратор излучения

Номер полезной модели: 1319

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Исмаилов Серик Умирбаевич, Саипов Абдилла Абибуллаевич, Сатаев Марат Исакович, Хрипунов Геннадий Семенович, Никитин Виктор Алексеевич, Сокол Евгений Иванович, Хусанов Алишер Евадиллоевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: концентратор, излучения, сегментный

Формула / Реферат:

Область применения относитсяк оптическим приборам, в частности к концентраторам солнечных фотоэнергетических установок, и инициирована необходимостью дальнейшего снижения их себестоимости при хранении их технических параметров.Сущность изобретения заключается в создании сегментного параболического концентратора излучения на основаниииз кругового массива профилированных ребер, задающих профиль изгиба светоотражающих сегментов...

Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Клименов Василий Васильевич, Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Омаров Марат Ахметович

МПК: C30B 30/04, C30B 30/02, C30B 29/06...

Метки: тонкопленочных, структур, получения, основе, способ, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Способ легирования тантала кадмием

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30108

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C30B 31/20, H01L 39/00, C30B 31/22...

Метки: легирования, кадмием, способ, тантала

Формула / Реферат:

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ТАНТАЛА КАДМИЕМИзобретение относится к области получения специальных сплавов в виде по­крытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машино­строении, материаловедении и других отраслях.Способ легирования тантала кадмием включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состоя­ние и соосаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером...

Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллической, расположенной, арсенида, свободно, галлия-алюминия, фосфида, пленки, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Солнечная батарея “YURASUS”

Загрузка...

Номер патента: 29675

Опубликовано: 16.03.2015

Автор: Сусанов Юрий Асланович

МПК: F03G 6/06, H01L 31/04

Метки: yurasus, солнечная, батарея

Формула / Реферат:

Солнечная батарея «YURASUS» относится к возобновляемым источникам получения электроэнергии. Пленочные полимерные солнечные батареи получили в настоящее время распространение,™, они экологичны в изготовлении и эксплуатации, в два раза дешевле, в пересчете на удельную производительность, легче на порядок ,по сравнению со стеклянными, с кристаллическим кварцевым покрытием и не греются при генерации электроэнергии. Недостатком является ...

Цементное изделие, особенно подходящее в качестве подложки для тонкопленочного фотоэлектрического модуля и способ его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 29081

Опубликовано: 15.10.2014

Авторы: ПЛЕБАНИ, Марко, КАПОНЕ, Клаудиа, АЛФАНИ, Роберта

МПК: C04B 28/04, H01L 31/0392, E04D 13/18...

Метки: подходящее, изделие, особенно, тонкопленочного, фотоэлектрического, изготовления, качестве, цементное, способ, подложки, модуля

Текст:

...ховатость поверхностине более 500 нм цементному изделию на этапе формования. 12. Способ по п.10, отличающийся тем, что включает стадию смешивания компонентов цементного изделия в пластичном состоянии с помощью каландрирования до формования в прессформе. 13. Применение цементного изделия,сформированного прессованием в форме, со средней шероховатостью поверхностине более 500 нм в виде подложки для пленки в тонкопленочных фотоэлектрических...

Кремниевый тонкопленочный солнечный элемент, обладающий усовершенствованной дымчатостью, и способы его изготовления

Загрузка...

Номер патента: 28774

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: ЛУ, Сунвэй

МПК: H01L 31/0224, H01L 31/0216, H01L 31/0236...

Метки: усовершенствованной, тонкопленочный, способы, обладающий, элемент, кремниевый, изготовления, дымчатостью, солнечный

Формула / Реферат:

Способ повышения дымчатости комплексного покрытия, имеющего верхний слой и подстилающий слой, с использованием способа нанесения покрытия посредством химического осаждения из газовой фазы, включающий по меньшей мере одно из: повышения скорости потока предшественника; снижения скорости потока газа-носителя; повышения температуры подложки; повышения скорости потока воды; снижения скорости потока выпускных газов; и повышения толщины по меньшей мере...

Система обмена информацией о местонахождении

Номер патента: 28642

Опубликовано: 16.06.2014

Авторы: ОЗГУЛ, Мехмет Емин

МПК: H01L 29/08

Метки: система, местонахождении, обмена, информацией

Формула / Реферат:

Данное изобретение относится к системе обмена информацией о местонахождении (1), с использованием по крайней мере одного мобильного устройства (2), производящего обмен информацией о местонахождении, по крайней мере одного мобильного устройства (3), которому абонент, имеющий мобильное устройство, позволяет производить обмен информацией о своем местонахождении, по крайней мере одной системы сведений о местонахождении (4), по крайней мере одной...

Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 28277

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: ФЕДЕРЗОНИ, Люк, БАНСИЛЛОН, Жаки, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ПИРО, Марк

МПК: H01L 31/18, H01L 31/0236, H01L 21/00...

Метки: предназначенной, кремниевая, устройство, кремниевой, элемента, составления, результате, пластины, текстурирования, пластина, механического, получающаяся, способ, фотоэлектрического

Текст:

...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...

Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: повышенным, двухстадийный, содержанием, соединения, способ, приготовления, cuinxga1-x, пленки, галлия

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.

Загрузка...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Гуделева Наталья Николаевна, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: cugase2, пленки, способ, соединения, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Фотоэлектрический преобразователь

Номер инновационного патента: 28010

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Бакенов Кайрат Асангалиевич, Солтанаев Абылайхан Мухитұлы, Арыстанов Нури Нигметуллаевич

МПК: H01L 31/052

Метки: фотоэлектрический, преобразователь

Формула / Реферат:

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ФОТОЭЛЕКТРЛ1 ТУРЛЕНД1РГ1Ш)Изобретение относится к области солнечной электроэнергетики, а именно, к фотоэлектрическим преобразователям и может использоваться в источниках питания автономных систем электроснабжения, а также может применяться при изготовлении приемников солнечной энергии.Фотоэлектрический преобразователь (ФЭП), состоящий из «и» последовательно и параллельно подключенных фотоэлектрических батарей...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, фотопреобразователь, излучения

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Устройство для выращивания свободно расположенных монокристаллических пленочных структур

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27787

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: пленочных, свободно, устройство, структур, выращивания, монокристаллических, расположенных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для получения монокристаллических полупроводниковых слоев методом жидкостной эпитаксии, в частности, для получения свободно расположенных многослойных тонкопленочных структур.Достигаемый технический результат - выращивание свободно расположенных монокристаллических пленочных структур, содержащих более одного слоя.Предлагается устройство для выращивания свободно...

Способ изготовления солнечного элемента

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27091

Опубликовано: 14.06.2013

Авторы: Диханбаев Кадыржан Кенжеевич, Лесбаев Бахытжан Тастанович, Таурбаев Токтар Искатаевич, Ауелханкызы Молдир, Мансуров Зулхаир Аймухаметович, Приходько Николай Георгиевич

МПК: H01L 31/052, B82B 1/00

Метки: изготовления, элемента, способ, солнечного

Формула / Реферат:

Изобретение может быть использовано в производстве оптоэлектронных приборов, в частности солнечных фотоэлектрических элементов. Способ изготовления солнечного элемента включает нанесение на кремниевую пластину с р-n переходом наночастиц оксида никеля, образованных на нихромовой про­волоке в противоточном пламени пропана к кислороду, при температуре 950 °С, с после­дующим импульсным световым отжигом при температуре 1000 С в течение 5 сек....

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26734

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Фогель Лидия Алексеевна, Ахмет Окен, Стацюк Вадим Николаевич, Журинов Мурат Журинович, Айт Сауык

МПК: G01N 27/48, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: коррозии, защитной, концентрации, определения, стали, ингибитора, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии стали. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали методом поляризационного сопротивления имеет ряд огра­ничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благода­ря тому, что в предложенном способе...

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии латуни

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26733

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Егеубаева Саламат Сабитовна, Айт Сауык, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Ахмет Окен, Журинов Мурат Журинович

МПК: H01L 31/18, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: коррозии, концентрации, способ, ингибитора, латуни, определения, защитной

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии латуни. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе определение...

Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, цементации, пленки, получения, методом, cuinse2, способ

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Способ определения концентрации фосфоновых кислот

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26409

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Айт Сауык, Ахмет Окен, Фогель Лидия Алексеевна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Егеубаева Саламат Сабитовна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: G01N 27/48, C25D 9/02, G01N 27/26...

Метки: концентрации, фосфоновых, кислот, способ, определения

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТ Изобретение относится к вольтамперометрическому способу анализа фосфоновых кислот. Известный способ анализа фосфоновых кислот с ис­пользованием метода циклического инжекционного фотометрического опре­деления фосфат-ионов требует предварительного перевода фосфоновых ки­слот в фосфат-ионы, содержит большое количество операций, дорогостоя­щих реактивов и поддерживание высокой температуры в процессе анализа. Благодаря тому, что в...

Тепловизионное устройство

Загрузка...

Номер полезной модели: 805

Опубликовано: 16.04.2012

Авторы: УНСОЙ, Алпер, ПЕНБЕГУЛ, Али Еткин, ПАКЯРДЫМ, Юсуф Кенан, АЙДЫН, Мехмет

МПК: H04N 3/09, H01L 27/146, H04N 3/15...

Метки: тепловизионное, устройство

Формула / Реферат:

Изобретение имеет отношение к тепловизионному устройству, которое работает в среднем инфракрасном диапазоне длин волн. Тепловизионное устройство (1) обнаруживает различия в тепловом излучении, испускаемом объектами, при помощи инфракрасного приемника, обеспечивает их видимость пользователю в дневных и ночных условиях. Кроме того тепловизионное устройство (1) не подвержено воздействию вспышек и которое обеспечивает пользователю видимость в...

Способ изготовления биполярных транзисторов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25494

Опубликовано: 15.02.2012

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Поздняков Алексей Владимирович, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Даулет Алтаевич

МПК: H01L 21/00, H01L 21/328

Метки: транзисторов, способ, биполярных, изготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов.Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовых, эмиттерных областей и омических контактов.Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизирован-ного аморфного кремния n-типа, на которую осаждают пленку p-типа аморфного...

Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: металла, способ, полупроводникового, получения, группы, соединения, подложке, кластеров

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Преобразование тепловой энергии в электрическую

Загрузка...

Номер инновационного патента: 24923

Опубликовано: 15.11.2011

Авторы: Баешова Ажар Коспановна, Конурбаев Абибулла Ережепович, Абсеметов Абдуажит, Баешов Абдуали Баешович, Абижанова Динара Аширалиевна, Даулетбаев Аким Серикович

МПК: H01L 31/0224, H01G 9/22

Метки: тепловой, электрическую, энергии, преобразование

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области термоэлектричества, в частности, к непосредственному преобразованию тепловой энергии в электрическую электрохимическим методом.Задачей изобретения является разработка способа преобразования тепловой энергии в электрическую с повышением среднего коэффициента термоЭДС, упрощение и удешевление процесса путем применения доступных дешевых термоэлектродов.Техническим результатом является преобразование тепловой энергии...

Способ получения пленок на основе иттриевого купрата

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23786

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Исайкина Оксана Яковлевна, Лаврищева Анна Олеговна, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: пленок, способ, получения, основе, иттриевого, купрата

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (BTCП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Техническим результатом является ускорение процесса, увеличение однородности состава по кислороду и стабильности сверхпроводящих свойств в объеме сверхпроводящих пленок.Способ получения пленок на основе...

Способ определения концентрации селена (IV)

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23782

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Журинов Мурат Журинович, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: G01N 27/48, C25D 9/04, G01N 27/26...

Метки: определения, способ, селена, концентрации

Формула / Реферат:

Изобретение относится к инверсионно-вольтамперометрическому способу анализа селена (IV). Известный способ анализа селена (IV) на электроактивных (серебряный, свинцовый) электродах, с использованием в качестве фонового электролита 0,1 М HCI с добавлением меди, содержит большое количество операций и обладает невысокой воспроизводимостью. Благодаря тому, что в предложенном способе анализ селена (IV) проводят на электроактивном медном дисковом...

Фотоэлектрический модуль

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23713

Опубликовано: 15.02.2011

Авторы: Нышанбайұлы Нұрсұлтан, Абдикаримов Малик Ныгманович, Кошерулы Нышан

МПК: H01L 31/052

Метки: модуль, фотоэлектрический

Формула / Реферат:

Фотоэлектрический модуль используется в энергетике а именно в солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для электростанции автономной или централизованной системой энергоснабжения.Конструкция фотоэлектрического модуля экономически выгодная, технологически простая, практически надежная создана за счет того, что линзы Френеля изготовлены из силикатного стекла имеют округлую форму и разделены друг от друга,...

Транзисторный ключ

Загрузка...

Номер патента: 15062

Опубликовано: 15.06.2010

Автор: Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 23/556

Метки: транзисторный, ключ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к транзисторным ключам и инверторам.
Транзисторный ключ, содержащий биполярный транзистор и нагрузочный резистор.
Новым является то, что вместо нагрузочного резистора установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.
Достигаемый технический результат - повышение радиационной стойкости.

Регулятор мощности с диодами Zenera

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22379

Опубликовано: 15.03.2010

Авторы: Пукема Василий Иванович, Квитка Василий Николаевич

МПК: H01L 29/00, H01L 29/866

Метки: диодами, мощности, zenera, регулятор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройствам импульсной техники.Регулятор мощности, содержащий тиристоры, резисторы, конденсаторы, отличающийся тем, что он снабжен диодами Zenera, соединенными анодами с резисторами, а катодами с конденсаторами и с галетным переключателем, который в свою очередь соединен с резисторами и с конденсатором.Применение осуществленного устройства позволяет расширить диапазон регулировки мощности, индицировать ее значение,...

Фотоэлектрический модуль (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 21493

Опубликовано: 15.07.2009

Авторы: Шварц Максим Зиновьевич, Хвостиков Владимир Петрович, Алферов Жорес Иванович, Ловыгин Игорь Владимирович, Чалов Алексей Евгеньевич, Ионова Евгения Александровна, Андреев Вячеслав Михайлович, Зазимко Вадим Николаевич, Румянцев Валерий Дмитриевич

МПК: H01L 31/052, F24J 2/08

Метки: модуль, фотоэлектрический, варианты

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области солнечной энергетики и в частности к фотоэлектрическим модулям. Наиболее успешно настоящее изобретение может быть применено в наземных солнечных энергоустановках с концентраторами излучения, предназначенных для систем автономного энергоснабжения в различных климатических зонах.Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки и фронтальную панель из силикатного стекла с линзами Френеля на ее тыльной стороне, а так...