H01L 21/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 28277

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: ГАРАНДЕ, Жан-Поль, БАНСИЛЛОН, Жаки, ФЕДЕРЗОНИ, Люк, ПИРО, Марк

МПК: H01L 21/00, H01L 31/0236, H01L 31/18...

Метки: предназначенной, фотоэлектрического, устройство, пластины, механического, составления, пластина, элемента, способ, получающаяся, результате, текстурирования, кремниевая, кремниевой

Текст:

...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...

Способ изготовления биполярных транзисторов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25494

Опубликовано: 15.02.2012

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Даулет Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Поздняков Алексей Владимирович

МПК: H01L 21/00, H01L 21/328

Метки: биполярных, изготовления, транзисторов, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно, к способам изготовления биполярных транзисторов.Способ включает формирование в монокристаллическом кремнии коллекторных, базовых, эмиттерных областей и омических контактов.Новым является то, что коллекторные области получают путем осаждения на кварцевую или стеклянную подложку пленки гидрогенизирован-ного аморфного кремния n-типа, на которую осаждают пленку p-типа аморфного...

Способ формирования контактного рисунка

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20593

Опубликовано: 15.12.2008

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/00

Метки: рисунка, формирования, способ, контактного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, в частности, к способам создания контактов к полупроводниковым структурам и может быть использовано для форми-рования фронтальной контактной сетки при изго-товлении солнечных элементов.Достигаемый технический результат - повы-шение рабочей температуры маскирующего слоя и экологической чистоты процесса.Предлагается способ формирования контактного рисунка, включающий локальное...

КМОП интегральная схема

Номер предварительного патента: 4791

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Искаков Бейсенбай Мамаевич, Садыков Аскарбек Амыркулович, Баекенов Марат Абдрахманович

МПК: H01L 21/00

Метки: интегральная, кмоп, схема

Формула / Реферат:

Предлагаемое изобретение относится к области полупроводниковой техники. Оно может быть использовано в устройствах, предназначенных для работы в условиях проникающей радиации. Более конкретно, речь идет о КМОП интегральных схемах, отличающихся повышенной радиационной стойкостью.Техническим результатом изобретения является повышение радиационной стойкости КМОП интегральных схем.Новым является то, что предлагаемая КМОП интегральная схема...