H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления

Номер предварительного патента: 11566

Опубликовано: 15.05.2002

Авторы: Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Досмаилов Меержан Абишевич, Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич, Даутов Аскар Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковый, гетеропереход, изготовления, способ

Формула / Реферат:

Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...

Способ создания p-n переходов

Номер предварительного патента: 8723

Опубликовано: 15.03.2000

Автор: Рамазанов Тлеккабул Сабитович

МПК: H01L 21/02

Метки: создания, способ, переходов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении p-n переходов в полупроводниковых приборах.Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления стабильных резких p-n переходов в монокристаллах А3В5, улучшение электрических свойств переходов, повышение их надежности и долговечности, повышение количества и качества производимых приборов за счет обхода термической технологии, простота...

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5

Номер предварительного патента: 8359

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Дмитриев Александр Григорьевич, Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01L 21/02

Метки: контактов, соединениям, омических, способ, а3в5, изготовления, полупроводниковым

Формула / Реферат:

Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...