H01L 21/203 — физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием

Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20594

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Кумеков Серик Ешмухамбетович, Лисицкий Олег Леонидович, Верменичев Борис Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/04

Метки: получения, тонкопленочный, гетеропереход, полупроводниковый, способ

Формула / Реферат:

Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...