H01L 21/208 — жидкостным напылением

Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: свободно, монокристаллической, галлия-алюминия, расположенной, пленки, арсенида, способ, получения, фосфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Устройство для выращивания свободно расположенных монокристаллических пленочных структур

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27787

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, устройство, монокристаллических, свободно, выращивания, пленочных, расположенных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для получения монокристаллических полупроводниковых слоев методом жидкостной эпитаксии, в частности, для получения свободно расположенных многослойных тонкопленочных структур.Достигаемый технический результат - выращивание свободно расположенных монокристаллических пленочных структур, содержащих более одного слоя.Предлагается устройство для выращивания свободно...

Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: соединения, металла, способ, получения, группы, подложке, полупроводникового, кластеров

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21040

Опубликовано: 16.03.2009

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: фосфида, арсенида, формирования, монокристаллической, способ, галлия-алюминия, мембраны

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок

Номер предварительного патента: 9566

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: устройство, полупроводниковых, жидкостной, пленок, эпитаксии

Формула / Реферат:

Предлагается устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок сдвигового типа, включающее подложкодержатель с выемкой для подложки и расположенный на нем блок с отверстием для расплава, размер которого в направлении движения подложкодержателя меньше длины выемки для подложки. Подложкодержатель имеет ступеньку, примыкающую к выемке для подложки и имеющую высоту не менее размера отверстия для расплава в направлении движения...

Способ получения отделенных пленок арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: пленок, способ, отделенных, получения, арсенида, галлия-алюминия, фосфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...