H01L 31/06 — характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером

Комбинированный преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: комбинированный, энергии, солнечной, преобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович, Мессерле Владимир Ефремович

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Способ изготовления тонких пленок ZnS

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гульнур Марсовна, Журинов Мурат Журинович, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C23C 16/30, C01G 9/08, H01L 31/06...

Метки: изготовления, способ, пленок, тонких

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Способ приготовления коллоидных растворов сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Хусурова Гулинур Марсовна, Гуделева Наталия Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна

МПК: H01L 31/18, G02B 5/20, H01L 31/06...

Метки: сульфида, растворов, кадмия, приготовления, способ, коллоидных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: галлия, cuinxga1-x, соединения, содержанием, двухстадийный, пленки, приготовления, способ, повышенным

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.

Загрузка...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: cugase2, пленки, приготовления, способ, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, излучения, концентрированного

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: соединения, получения, методом, способ, цементации, cuinse2, пленки

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Способ получения пленки CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21146

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06

Метки: cuinse2, пленки, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида индия меди CuInSe2. Известный способ получения пленки диселенида индия меди путем электроосаждения на титановую или никелевую подложки из раствора, содержащего InСI3, CuCI, SeO2 при силе тока 6мА/см2 и напряже­нии -0,7 + -0,5 В (нормальный каломельный электрод) не позволяет получать пленки CuInSe2 со строго заданным фазовым составом.Благодаря тому, что в предложенном способе...

Способ получения пленки Cu2Se

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21145

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: пленки, получения, способ, cu2se

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...

Однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20350

Опубликовано: 17.11.2008

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, однопереходный, фотопреобразователь, излучения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электричество.Предлагается однопереходный фотопреобразова-тель концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с р-п-пере-ходом, фронтальным и тыльным омическими контактами и с равномерно распределенными по площади сквозными отверстиями, через которые фронтальный...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20093

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Протопопова Гертруда Димитриевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, пленки, cuinse2, способ, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...

Однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения

Номер предварительного патента: 19500

Опубликовано: 15.05.2008

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, излучения, однопереходный, концентрированного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество.Достигаемый технический результат снижение теплового сопротивления фотопреобразователя.Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательный элемент с первым токосъемным электродом, в которых...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: cuinse2, пленки, способ, соединения, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: in2se3, приготовления, соединения, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: способ, соединения, пленки, приготовления, cu2se

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, C25D 5/50...

Метки: пленки, приготовления, гетероструктуры, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...

Однопереходной фотопреобразователь концентрированного солнечного излучения

Номер предварительного патента: 13085

Опубликовано: 15.05.2003

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Пак Сергей Павлович

МПК: H01L 31/06

Метки: солнечного, однопереходной, излучения, фотопреобразователь, концентрированного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям, и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество. Достигаемый технический результат - снижение омических и оптических потерь энергии. Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с первым тыльным теплоотводящим токосъемным...

Двухкаскадный трехэлектродный фотопреобразователь

Номер предварительного патента: 9567

Опубликовано: 16.10.2000

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 31/06

Метки: трехэлектродный, фотопреобразователь, двухкаскадный

Формула / Реферат:

Предлагается тонкопленочный двухкаскадный трехэлектродный фотопреобразователь, включающий монолитно связанные широкозонный и узкозонный элементы, в которых база верхнего и эмиттер нижнего элементов выполнены из материала одного типа проводимости и имеют общий электрический контакт. Общий электрический контакт расположен в канавке, образованной в нижнем узкозонном элементе под верхним электрическим контактом широкозонного элемента. Подобное...