H01L 31/18 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

Способ приготовления коллоидных растворов сульфида кадмия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31175

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Леонтьева Ксения Александровна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Хусурова Гулинур Марсовна, Гуделева Наталия Николаевна

МПК: G02B 5/20, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: способ, коллоидных, растворов, приготовления, кадмия, сульфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...

Устройство и способ механического текстурирования кремниевой пластины, предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, и получающаяся в результате кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 28277

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: ПИРО, Марк, ГАРАНДЕ, Жан-Поль, БАНСИЛЛОН, Жаки, ФЕДЕРЗОНИ, Люк

МПК: H01L 21/00, H01L 31/0236, H01L 31/18...

Метки: механического, пластины, предназначенной, кремниевая, элемента, текстурирования, составления, фотоэлектрического, пластина, способ, устройство, результате, получающаяся, кремниевой

Текст:

...сть силы давления резца генерируется давлением газа, прилагаемым к резцу. 10. Способ по одному из п.п.7-9, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с. 11. Поликристаллическая кремниевая пластина(4), получаемая в соответствии со способом по одному из п.п.7-10,предназначенная для составления фотоэлектрического элемента,поверхность которой включает в себя однородные рисунки гравирования глубиной между 5 и 50...

Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28251

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович

МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...

Метки: повышенным, способ, галлия, содержанием, соединения, приготовления, двухстадийный, cuinxga1-x, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...

Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.

Загрузка...

Номер патента: 26506

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: способ, соединения, пленки, приготовления, cugase2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26734

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Айт Сауык, Ахмет Окен, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Журинов Мурат Журинович

МПК: G01N 27/48, G01N 27/26, C25D 9/04...

Метки: ингибитора, стали, способ, определения, защитной, концентрации, коррозии

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии стали. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали методом поляризационного сопротивления имеет ряд огра­ничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благода­ря тому, что в предложенном способе...

Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии латуни

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26733

Опубликовано: 15.03.2013

Авторы: Журинов Мурат Журинович, Стацюк Вадим Николаевич, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Айт Сауык, Фогель Лидия Алексеевна, Егеубаева Саламат Сабитовна, Ахмет Окен

МПК: G01N 27/26, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: латуни, концентрации, коррозии, защитной, определения, ингибитора, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определе­ния защитной концентрации ингибитора коррозии латуни. Известный элек­трохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе определение...

Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26412

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: получения, cuinse2, цементации, пленки, методом, соединения, способ

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...

Способ определения концентрации фосфоновых кислот

Загрузка...

Номер инновационного патента: 26409

Опубликовано: 15.11.2012

Авторы: Ахмет Окен, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Егеубаева Саламат Сабитовна, Фогель Лидия Алексеевна, Айт Сауык, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: G01N 27/26, C25D 9/02, G01N 27/48...

Метки: определения, фосфоновых, способ, кислот, концентрации

Формула / Реферат:

РЕФЕРАТ Изобретение относится к вольтамперометрическому способу анализа фосфоновых кислот. Известный способ анализа фосфоновых кислот с ис­пользованием метода циклического инжекционного фотометрического опре­деления фосфат-ионов требует предварительного перевода фосфоновых ки­слот в фосфат-ионы, содержит большое количество операций, дорогостоя­щих реактивов и поддерживание высокой температуры в процессе анализа. Благодаря тому, что в...

Способ определения концентрации селена (IV)

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23782

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Журинов Мурат Журинович, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: G01N 27/48, C25D 9/04, G01N 27/26...

Метки: определения, концентрации, селена, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к инверсионно-вольтамперометрическому способу анализа селена (IV). Известный способ анализа селена (IV) на электроактивных (серебряный, свинцовый) электродах, с использованием в качестве фонового электролита 0,1 М HCI с добавлением меди, содержит большое количество операций и обладает невысокой воспроизводимостью. Благодаря тому, что в предложенном способе анализ селена (IV) проводят на электроактивном медном дисковом...

Способ получения пленки CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21146

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18

Метки: cuinse2, пленки, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида индия меди CuInSe2. Известный способ получения пленки диселенида индия меди путем электроосаждения на титановую или никелевую подложки из раствора, содержащего InСI3, CuCI, SeO2 при силе тока 6мА/см2 и напряже­нии -0,7 + -0,5 В (нормальный каломельный электрод) не позволяет получать пленки CuInSe2 со строго заданным фазовым составом.Благодаря тому, что в предложенном способе...

Способ получения пленки Cu2Se

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21145

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: способ, пленки, cu2se, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20093

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Протопопова Гертруда Димитриевна, Григорьева Валентина Петровна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: пленки, способ, приготовления, соединения, cuinse2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: способ, cuinse2, приготовления, соединения, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...

Метки: приготовления, способ, in2se3, соединения, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: способ, cu2se, пленки, приготовления, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 9/04, C25D 5/50, H01L 31/06...

Метки: приготовления, пленки, способ, гетероструктуры

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...