H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Страница 2

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21352

Опубликовано: 15.06.2009

Авторы: Тюменцева Олеся Александровна, Кетегенов Тлек Айтмуханович, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: сверхпроводящих, получения, пленок, способ, высокотемпературных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок включает сме­шивание биалкоголята свинца и одного из металлов: либо стронция, либо кальция (0,1 -0,2) мас.% и висмутового купрата стронция и...

Способ получения пленки CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21146

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18

Метки: получения, способ, cuinse2, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида индия меди CuInSe2. Известный способ получения пленки диселенида индия меди путем электроосаждения на титановую или никелевую подложки из раствора, содержащего InСI3, CuCI, SeO2 при силе тока 6мА/см2 и напряже­нии -0,7 + -0,5 В (нормальный каломельный электрод) не позволяет получать пленки CuInSe2 со строго заданным фазовым составом.Благодаря тому, что в предложенном способе...

Способ получения пленки Cu2Se

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21145

Опубликовано: 15.04.2009

Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: пленки, получения, cu2se, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида од­новалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряжен­ных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет полу­чать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...

Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21040

Опубликовано: 16.03.2009

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллической, арсенида, мембраны, галлия-алюминия, способ, фосфида, формирования

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20707

Опубликовано: 15.01.2009

Авторы: Кетегенов Тлек Айтмуханович, Коробова Наталья Егоровна, Тюменцева Олеся Александровна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: способ, высокотемпературных, получения, сверхпроводящих, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения ВТСП пленок включает смешивание купрата иттрия - бария (1,0-1,5) мас.% с органическим растворителем (90,0-91,5) мас.%: либо с ацетоном, либо с одним из спиртов - изоприловым или бутиловым,...

Способ определения температуры стеклования полимеров

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20595

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Юров Виктор Михайлович, Садык Бейбит

МПК: H01L 21/312

Метки: определения, полимеров, стеклования, способ, температуры

Формула / Реферат:

Изобретение относится к определению теплофизических характеристик полимеров, а именно к определению температуры стеклования полимеров.Заявленным способом предусматривается облу-чение образца полимера УФ-светом и измерение термостимулированной люминесценции (ТСЛ) в режиме равномерного нагрева. В аррениусовых (lnI ~ 103/Т) координатах кривая ТСЛ спрямляется, отсекая на оси абцисс обратную температуру стеклования полимера.Реализация...

Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20594

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Кумеков Серик Ешмухамбетович, Лисицкий Олег Леонидович, Верменичев Борис Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/04

Метки: полупроводниковый, гетеропереход, способ, тонкопленочный, получения

Формула / Реферат:

Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...

Способ формирования контактного рисунка

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20593

Опубликовано: 15.12.2008

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/00

Метки: способ, рисунка, формирования, контактного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, в частности, к способам создания контактов к полупроводниковым структурам и может быть использовано для форми-рования фронтальной контактной сетки при изго-товлении солнечных элементов.Достигаемый технический результат - повы-шение рабочей температуры маскирующего слоя и экологической чистоты процесса.Предлагается способ формирования контактного рисунка, включающий локальное...

Однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20350

Опубликовано: 17.11.2008

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, однопереходный, концентрированного, излучения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электричество.Предлагается однопереходный фотопреобразова-тель концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с р-п-пере-ходом, фронтальным и тыльным омическими контактами и с равномерно распределенными по площади сквозными отверстиями, через которые фронтальный...

Инвертирующий усилитель

Загрузка...

Номер патента: 14235

Опубликовано: 17.11.2008

Авторы: Туякбаев Данияр Алтайевич, Туякбаев Султан Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 29/72

Метки: инвертирующий, усилитель

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к инвертирующим усилителям. Инвертирующий усилитель содержит операционный усилитель, резисторы в цепи обратной связи и входной цепи. Новым является то, что вместо резистора в цепи обратной связи установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20093

Опубликовано: 15.09.2008

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Протопопова Гертруда Димитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: способ, приготовления, cuinse2, пленки, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...

Способ синтеза сверхпроводящего интерметаллического соединения в пленках

Загрузка...

Номер патента: 17103

Опубликовано: 15.07.2008

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Тулеушев Адил Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C23C 26/00, H01L 39/24

Метки: способ, сверхпроводящего, интерметаллического, пленках, синтеза, соединения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения сверхпроводников и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической и других отраслях промышленности при получении сверхпроводящего интерметаллического соединения внутри пленочного несверхпроводящего покрытия.Способ синтеза сверхпроводящего интерме-таллического соединения в пленках, например, станнида ниобия Nb3Sn, включает совместное ионно-плазменное распыление мишеней исходных металлов с...

Однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения

Номер предварительного патента: 19500

Опубликовано: 15.05.2008

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: однопереходный, излучения, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество.Достигаемый технический результат снижение теплового сопротивления фотопреобразователя.Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательный элемент с первым токосъемным электродом, в которых...

Инвертор на МДП транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 15215

Опубликовано: 15.05.2008

Автор: Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: H01L 23/556

Метки: мдп, инвертор, транзисторах

Формула / Реферат:

 Изобретение относится к области электроники, а именно к инверторам на МДП транзисторах.

Способ синтеза сверхпроводящего интерметаллического соединения в пленках

Загрузка...

Номер патента: 16467

Опубликовано: 14.03.2008

Авторы: Тулеушев Адил Жианшахович, Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C23C 14/58, H01L 21/265

Метки: сверхпроводящего, интерметаллического, синтеза, соединения, способ, пленках

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения сверхпроводников и может бытьиспользовано в электротехнической, радиотехнической и других отраслях промышленностипри формировании многоуровневой сверхпроводящей схемы внутри пленочного несверхпроводящегопокрытия.

Способ приготовления пленки соединения CuInSe2

Номер предварительного патента: 19124

Опубликовано: 15.02.2008

Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Чайкин Владимир Владимирович, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: соединения, способ, приготовления, пленки, cuinse2

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...

Устройство для преобразования солнечной энергии в электрическую

Номер предварительного патента: 19073

Опубликовано: 15.01.2008

Авторы: Илипбаева Ляззат Болатовна, Исембергенов Налик Турегалиевич

МПК: F24J 2/42, F24J 2/00, H01L 31/00...

Метки: устройство, солнечной, энергии, преобразования, электрическую

Формула / Реферат:

Изобретение может быть использовано в нетрадиционных источниках энергии, в частности преобразований солнечной энергии, в электроэнергию переменного напряжения промышленной частоты для питания промышленных и бытовых энергоустановок.Эффективное использование дорогостоющих солнечных элементов и упрощение схемы при преобразовании солнечной энергии в электроэнергию переменного напряжения промышленной частоты, осуществляется за счет того, что группы...

Способ легирования металлов в пленках

Загрузка...

Номер патента: 15425

Опубликовано: 15.10.2007

Авторы: Тулеушев Адил Жианшахович, Володин Валерий Николаевич, Тулеушев Юрий Жианшахович

МПК: H01L 39/00, C30B 31/20, C30B 31/22...

Метки: пленках, способ, металлов, легирования

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных сплавов в виде покрытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машиностроении, материаловедении и других отраслях. Способ легирования металла в пленках включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждение их субслоями поочередным повторяющимся пересечением потоков...

Мажорирующее устройство

Номер предварительного патента: 18732

Опубликовано: 15.08.2007

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Даулет Алтаевич, Поздняков Алексей Владимирович

МПК: H01L 27/00

Метки: мажорирующее, устройство

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к мажорирующим устройствам.Мажорирующее устройство, содержащее при тройном резервировании, три разностных усилителя, три гистерезисных компаратора, три логических элемента «-И», управляющие тремя спаренными транзисторными ключами сумматора.Новым является то, что вместо резисторов в цепях обратных связей разностных усилителей установлены радисторы, электрические сопротивления которых растут с...

Пирометр

Номер предварительного патента: 18654

Опубликовано: 16.07.2007

Авторы: Письменов Александр Владимирович, Письменов Дмитрий Александрович, Скубилин Игорь Михайлович, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: пирометр

Формула / Реферат:

Изобретение относится к информационно-измерительной и вычислительной технике, а в частности к средствам бесконтактного измерения температуры поверхности нагретых тел, в т.ч. полупроводниковых пластин в технологических установках, изделий из металлов, керамики, пластмасс при их термообработке, расплавов металлов в металлургии.Пирометр содержит вход излучений нагретого тела, селективный датчик излучений нагретого тела, выполненный на приборах с...

Комплементарный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 14587

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Туякбаев Султан Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтайевич

МПК: H01L 27/092

Метки: комплементарный, транзистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к транзисторам. Комплементарный полевой транзистор, содержащий р-канальный и n-канальный транзисторы, у которых стоки и затворы попарно соединены. Новым является то, что вместо МОП транзисторов установлены полевые транзисторы с управляющими р-n переходами, из которых n-канальный с нормально закрытым каналом, а р-канальный с нормально открытым каналом, причем подаваемый на их общий затвор...

Способ изготовления КМОП интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11243

Опубликовано: 15.02.2007

Авторы: Медеуов Улугбек Идрисович, Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Алдамжаров Казбек Бахитович

МПК: H01L 21/8238

Метки: кмоп, способ, изготовления, интегральных, схем

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления КМОП интегральных микросхем.Способ включает последовательное, на изолирующей подложке, с помощью соответствующих масок, эпитаксиальное наращивание столбиков кремния р-типа и n-типа, формирование комплиментарных пар МОП транзисторов, омических контактов и межсоединений.Новым является то, что вместо сапфировой подложки берут стеклянную или керамическую,...

Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой

Номер предварительного патента: 18150

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 49/02

Метки: нанокристаллической, пленки, способ, получения, структурой

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe с нанокристаллической структурой с размером зерен 80 Å путем электроосаждения при постоянном потенциале с наложением импульсного тока из органического растворителя, содержащий кадмий (II) и теллур (IV) не позволяет полностью устранить соосаждение...

Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: способ, приготовления, пленки, соединения, in2se3

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...

Транзистор

Загрузка...

Номер патента: 14234

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Султан Алтаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтайевич

МПК: H01L 29/72

Метки: транзистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к транзисторам.
Транзистор, содержащий коллектор, базу и эмиттер, при этом между базой и эмиттером параллельно эмиттерному переходу установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.
Достигаемый технический результат - повышение радиационной стойкости транзисторов.

Пигмент переменного в зависимости от угла обзора цвета интерференционной структуры, способ его получения и кроющая композиция для защиты изделий

Загрузка...

Номер патента: 15597

Опубликовано: 15.11.2006

Авторы: МЮЛЛЕР, Эдгар, РОЗУМЕК, Оливье

МПК: D21H 21/48, B32B 7/00, C09C 1/00...

Метки: переменного, композиция, зависимости, интерференционной, обзора, цвета, угла, кроющая, получения, защиты, пигмент, структуры, изделий, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к оптически переменным пигментам (ОПП), цвет которых меняется в зависимости от угла обзора, способам получения таких пигментов, использованию таких пигментов в качестве защитных элементов в красках, покрытиях и изделиях. Пигменты имеют тонкопленочную многослойную структуру из различных материалов, по крайней мере, один из которых является светопроницаемым диэлектриком, содержащим один или несколько люминофоров....

Способ приготовления пленки соединения Cu2Se

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...

Метки: способ, соединения, приготовления, cu2se, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Широтно-импульсный модулятор

Номер предварительного патента: 17396

Опубликовано: 15.05.2006

Авторы: Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Данияр Алтайевич, Туякбаев Даулет Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Поздняков Алексей Владимирович

МПК: H01L 27/00

Метки: широтно-импульсный, модулятор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники, а именно к широтно-импульсным модуляторам.
Широтно-импульсный модулятор содержит операционный усилитель с положительной и запаздывающей отрицательной обратными связями.
При этом вместо резистора в цепи отрицательной обратной связи установлен радистор, электрическое сопротивление которого растет с интегральным потоком излучений.

Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 9/04, C25D 5/50, H01L 31/06...

Метки: пленки, приготовления, гетероструктуры, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...

Транзистор

Номер предварительного патента: 16351

Опубликовано: 14.10.2005

Автор: Туякбаев Даулет Алтаевич

МПК: H01L 27/00

Метки: транзистор

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники,
а именно к транзисторам.
Транзистор, содержащий два биполярных транзистора, у которых соединены эмиттер первого с
базой второго и коллекторы.
Новым является то, что между эмиттерами первого и второго транзисторов установлен радистор,
электрическое сопротивление которого растет с
интегральным потоком излучений.

Способ формирования пленочного покрытия и магнетронное устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 12436

Опубликовано: 14.10.2005

Авторы: Лисицын Владимир Николаевич, Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич, Ким Светлана Николаевна, Тулеушев Адил Жианшахович

МПК: H01L 39/12, C23C 14/34

Метки: магнетронное, устройство, покрытия, пленочного, способ, формирования, осуществления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области нанесения покрытий, в том числе сверхпроводящих, различных по назначению и составу, и может быть использова­но в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности.Достигаемый изобретением технический результат - предотвращение откло­нений состава покрытия от состава многокомпонентных мишеней.Способ формирования пленочного покрытия включает магнетронное распы­ление...

Полевой транзистор

Номер предварительного патента: 15353

Опубликовано: 17.01.2005

Авторы: Туякбаев Данияр Алтаевич, Туякбаев Альтай Альшерович, Туякбаев Султан Алтаевич, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Даулет Алтаевич

МПК: H01L 27/00

Метки: транзистор, полевой

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области электроники,
а именно к транзисторам.
Полевой транзистор, содержащий металлический
затвор, изолирующую пленку окиси кремния и полупроводниковую часть.
Новым является то, что вместо изолирующей
пленки окиси кремния используют алмазную пленку, получаемую путем термического осаждения в
вакууме из метана углерода.

Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов

Номер предварительного патента: 14383

Опубликовано: 05.05.2004

Автор: Сармуханов Ербол Тулегенович

МПК: H01L 33/00, F21K 2/00

Метки: кристаллов, люминесценции, усиления, способ, собственной, щелочногалоидных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к физике твердого телаи может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов - твердотельных сцинтилляционных детекторов.Результатом изобретения является улучшениелюминесцентных свойств, обусловленное увеличением интенсивности полосы излучения, повышениенадежности и долговечности, простота реализацииспособа усиления собственной люминесценции,упрощение технологии изготовления, стабильностьи улучшение их...

Способ получения пленки CdTe

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: H01L 49/02

Метки: получения, пленки, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...

Способ формирования пленочного покрытия и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 12435

Опубликовано: 14.11.2003

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич, Ким Светлана Николаевна, Асанов Александр Бикетович, Тулеушев Адил Жианшахович, Лисицын Владимир Николаевич

МПК: H01L 39/12, C23C 14/34

Метки: устройство, покрытия, осуществления, способ, пленочного, формирования

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области нанесения покрытий, в том числе сверхпроводящих, различных по назначению и составу, и может быть использовано в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности.Способ формирования пленочного покрытия включает магнетронное распыление противолежащих мишеней, осаждение распыленного материала на подложку, при этом распыленный материал направляют в зону смешения,...

Способ охлаждения тепловыделяющих электронных элементов

Номер предварительного патента: 13083

Опубликовано: 15.05.2003

Автор: Канимов Булат Кабжанович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: тепловыделяющих, элементов, способ, охлаждения, электронных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковойэлектронной технике, в частности кэлектронно-вычислительной технике, и может бытьиспользовано для охлаждения тепловыделяющихэлементов в компьютерах, силовойполупроводниковой технике, электрооборудовании.Техническим результатом, достигаемым прииспользовании способа, является повышениеэффективности охлаждения, обеспечениестабильного поддержания температурыэлектронных элементов и упрощение используемогодля...

Устройство охлаждения тепловыделяющих электронных элементов

Номер предварительного патента: 13084

Опубликовано: 15.05.2003

Автор: Канимов Булат Кабжанович

МПК: H05K 7/20, H01L 23/34

Метки: элементов, охлаждения, тепловыделяющих, электронных, устройство

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике, в частности к электронно-вычислительной технике, и может быть использовано для охлаждения тепловыделяющих элементов в компьютерах, силовой полупроводниковой технике, электрооборудовании. Техническим результатом, достигаемым при использовании устройства, является повышение эффективности охлаждения, обеспечение стабильного поддержания температуры электронных элементов и упрощение...

Однопереходной фотопреобразователь концентрированного солнечного излучения

Номер предварительного патента: 13085

Опубликовано: 15.05.2003

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Пак Сергей Павлович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, солнечного, однопереходной, концентрированного, излучения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям, и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество. Достигаемый технический результат - снижение омических и оптических потерь энергии. Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с первым тыльным теплоотводящим токосъемным...

Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия и проводник на его основе

Загрузка...

Номер патента: 11531

Опубликовано: 15.04.2003

Авторы: Тулеушев Адил Жианшахович, Лисицын Владимир Николаевич, Ким Светлана Николаевна, Асанов Александр Бикетович, Володин Валерий Николаевич, Тулеушев Юрий Жианшахович

МПК: C23C 14/34, H01L 39/24

Метки: пленочного, проводник, основе, способ, покрытия, сверхпроводящего, формирования

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области формирования пленочных сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической, медицинской и других отраслях промышленнос­ти.Способ формирования сверхпроводящего пленочного покрытия включает магнетронное распыление материала мишени в потоке плазмы и осаждение его на подготовлен­ную поверхность металлической подложки, перемещаемой...

Пирометр

Номер предварительного патента: 12122

Опубликовано: 15.10.2002

Авторы: Письменов Дмитрий Александрович, Скубилин Игорь Михайлович, Письменов Александр Владимирович, Скубилин Михаил Демьянович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: пирометр

Формула / Реферат:

Изобретение относится к информационно-измерительной и вычислительной технике, а в частности к средствам бесконтактного измерения температуры нагретых тел, в т. ч. полупроводниковых пластин в технологических установках, изделий из металлов, керамики и пластмасс при их термообработке, расплавов металлов в металлургии и т. д.Пирометр включает вход из вещества прозрачного в диапазоне используемых длин волн теплового излучения, два фотоэлектрических...