Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

Способ создания наноканалов в наноматериалах радиационным методом

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30547

Опубликовано: 16.11.2015

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Шон Киркпатрик, Кузембаева Нурсауле, Булекбаева Гузель, Айнабаев Ардак, Инсепов Зинетула Алпысович, Майкл Уалш

МПК: C08J 5/22, B01D 67/00

Метки: наноматериалах, способ, создания, методом, радиационным, наноканалов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к нанотехнологии изготовления наномембран для опреснения воды, нанофильтрации жидкостей и газов, хранения водородного топлива, наноробототехнических систем МЭМС, наномедицине, микробиологии и т.д., в которых используется графен или оксид графена, графено- и алмазоподобные углеродистые и другие ультратонкие (менее 10 нм) материалы.Изобретение относится к способу создания наноканалов в наноматериалах радиационным...

Кремниевый фотоэлектрод

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30164

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Ракыметов Багдат Аскарович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02, C01B 33/06, C01B 33/02...

Метки: фотоэлектрод, кремниевый

Формула / Реферат:

Изобретение относится к водородной и солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках получения и аккумулирования водорода. В результате реакции фотоэлектролиза воды солнечная энергия аккумулируется в виде энергии химического топлива водорода и кислорода.В качестве фотокатода используется пористый кремний р-типа с силицидовыми связями внутри пор, что за счет развитой поверхности пористого кремния, приводит к снижению...

Способ создания тонких кремниевых солнечных элементов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23592

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Рябикин Юрий Алексеевич, Токмолдин Серикбол Жарылгапович

МПК: H01M 4/02

Метки: способ, элементов, кремниевых, тонких, создания, солнечных

Формула / Реферат:

Способ создания тонких кремниевых солнечных элементов относится к солнечной энергетике и к областям нанотехнологии, микро - и наноэлектроники, и может быть использовано в приборостроении.Предлагаемый способ создания тонких кремниевых солнечных элементов позволяет использовать стандартную технологию изготовления солнечных элементов на коммерческих монокристаллических кремниевых пластинах без использования сложных технологий получения тонких...

Способ получения тонких пластин кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, H01M 4/02...

Метки: способ, пластин, получения, тонких, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Способ получения скрытых слоев пористого кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22831

Опубликовано: 16.08.2010

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: H01M 4/02

Метки: скрытых, пористого, способ, слоев, получения, кремния

Формула / Реферат:

Способ получения скрытых слоев пористого кремния позволяет получать поверхность кремния не нарушенной, что может быть использовано для формирования на пористом кремнии различных приборов и приборных структур с высокими электрическими параметрами омических и барьерных контактов.Способ получения скрытых слоев пористого кремния основан на особенностях сочетания режимов электрополировки, образования и накопления электролитического водорода, и ...

Установка фотоэлектрохимического аккумулирования солнечной энергии УФАСЭ

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21820

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: фотоэлектрохимического, аккумулирования, энергии, уфасэ, солнечной, установка

Формула / Реферат:

Установка фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии может быть использована для аккумулирования солнечной в виде энергии химического топлива водорода и кислорода, получающегося в результате реакции фотоэлектролиза воды под действием солнечного света.
В качестве фотокатода УФАСЭ используется пористый кремний р-типа с однородным силицидовым покрытием либо с силицидовыми островками.

Способ фотоэлектрохимического аккумулирования солнечной энергии

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21819

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: фотоэлектрохимического, энергии, солнечной, аккумулирования, способ

Формула / Реферат:

Способ фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии относится к солнечно-водородной энергетике. Способ фото-электрохимического аккумулирования солнечной энергии может быть использован для аккумулирования солнечной в виде энергии химического топлива водорода и кислорода, получающиеся в результате реакции фотоэлектролиза воды под действием солнечного света.Способ фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии основан на...

Кремниевый фотоэлектрод

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21611

Опубликовано: 14.08.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/06, H01M 4/02...

Метки: фотоэлектрод, кремниевый

Формула / Реферат:

Изобретение относится к энергетической промышленности, а именно к солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках фотоэлектрического аккумилирования солнечной энергии.Техническим результатом является повышение эффективности аккумулирования солнечной энергии за счет развитой поверхности пористого кремния, снижение величины перенапряжения и увеличение скорости выделения водорода за счет проявления квантово-размерных...