Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

Способ создания наноканалов в наноматериалах радиационным методом

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30547

Опубликовано: 16.11.2015

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Айнабаев Ардак, Майкл Уалш, Булекбаева Гузель, Инсепов Зинетула Алпысович, Кузембаева Нурсауле, Шон Киркпатрик

МПК: B01D 67/00, C08J 5/22

Метки: способ, наноканалов, радиационным, наноматериалах, методом, создания

Формула / Реферат:

Изобретение относится к нанотехнологии изготовления наномембран для опреснения воды, нанофильтрации жидкостей и газов, хранения водородного топлива, наноробототехнических систем МЭМС, наномедицине, микробиологии и т.д., в которых используется графен или оксид графена, графено- и алмазоподобные углеродистые и другие ультратонкие (менее 10 нм) материалы.Изобретение относится к способу создания наноканалов в наноматериалах радиационным...

Кремниевый фотоэлектрод

Загрузка...

Номер инновационного патента: 30164

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Ракыметов Багдат Аскарович, Токмолдин Нурлан Серекболович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C01B 33/06, H01M 4/02, C01B 33/02...

Метки: кремниевый, фотоэлектрод

Формула / Реферат:

Изобретение относится к водородной и солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках получения и аккумулирования водорода. В результате реакции фотоэлектролиза воды солнечная энергия аккумулируется в виде энергии химического топлива водорода и кислорода.В качестве фотокатода используется пористый кремний р-типа с силицидовыми связями внутри пор, что за счет развитой поверхности пористого кремния, приводит к снижению...

Способ создания тонких кремниевых солнечных элементов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23592

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Рябикин Юрий Алексеевич, Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: создания, способ, элементов, кремниевых, солнечных, тонких

Формула / Реферат:

Способ создания тонких кремниевых солнечных элементов относится к солнечной энергетике и к областям нанотехнологии, микро - и наноэлектроники, и может быть использовано в приборостроении.Предлагаемый способ создания тонких кремниевых солнечных элементов позволяет использовать стандартную технологию изготовления солнечных элементов на коммерческих монокристаллических кремниевых пластинах без использования сложных технологий получения тонких...

Способ получения тонких пластин кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: H01M 4/02, C01B 33/021, C01B 33/02...

Метки: тонких, способ, пластин, кремния, получения

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Способ получения скрытых слоев пористого кремния

Загрузка...

Номер инновационного патента: 22831

Опубликовано: 16.08.2010

Авторы: Рябикин Юрий Алексеевич, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серикбол Жарылгапович

МПК: H01M 4/02

Метки: скрытых, слоев, получения, пористого, кремния, способ

Формула / Реферат:

Способ получения скрытых слоев пористого кремния позволяет получать поверхность кремния не нарушенной, что может быть использовано для формирования на пористом кремнии различных приборов и приборных структур с высокими электрическими параметрами омических и барьерных контактов.Способ получения скрытых слоев пористого кремния основан на особенностях сочетания режимов электрополировки, образования и накопления электролитического водорода, и ...

Установка фотоэлектрохимического аккумулирования солнечной энергии УФАСЭ

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21820

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: уфасэ, солнечной, фотоэлектрохимического, энергии, установка, аккумулирования

Формула / Реферат:

Установка фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии может быть использована для аккумулирования солнечной в виде энергии химического топлива водорода и кислорода, получающегося в результате реакции фотоэлектролиза воды под действием солнечного света.
В качестве фотокатода УФАСЭ используется пористый кремний р-типа с однородным силицидовым покрытием либо с силицидовыми островками.

Способ фотоэлектрохимического аккумулирования солнечной энергии

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21819

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: H01M 4/02

Метки: способ, солнечной, фотоэлектрохимического, аккумулирования, энергии

Формула / Реферат:

Способ фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии относится к солнечно-водородной энергетике. Способ фото-электрохимического аккумулирования солнечной энергии может быть использован для аккумулирования солнечной в виде энергии химического топлива водорода и кислорода, получающиеся в результате реакции фотоэлектролиза воды под действием солнечного света.Способ фотоэлектрохимического аккуму-лирования солнечной энергии основан на...

Кремниевый фотоэлектрод

Загрузка...

Номер инновационного патента: 21611

Опубликовано: 14.08.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: C01B 33/02, H01M 4/02, C01B 33/06...

Метки: фотоэлектрод, кремниевый

Формула / Реферат:

Изобретение относится к энергетической промышленности, а именно к солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках фотоэлектрического аккумилирования солнечной энергии.Техническим результатом является повышение эффективности аккумулирования солнечной энергии за счет развитой поверхности пористого кремния, снижение величины перенапряжения и увеличение скорости выделения водорода за счет проявления квантово-размерных...