Верменичев Борис Михайлович

Способ получения углеродных наноструктур путем магнетронного реактивного распыления графита в возгоняемых парах ароматических углеводородов

Загрузка...

Номер инновационного патента: 29012

Опубликовано: 15.10.2014

Авторы: Верменичев Борис Михайлович, Байтимбетова Багила Абдисаматовна

МПК: B82B 3/00

Метки: путем, наноструктур, графита, возгоняемых, реактивного, получения, углеродных, распыления, углеводородов, ароматических, магнетронного, парах, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанотрубки, нанонити и графеновые структуры, которые могут быть использованы в наноэлектронике в качестве частей электронных схем и приборов.В способе получения углеродных наноструктур путем реактивного магнетронного распыления с ароматическими углеводородами, таких как нафталин, фенантрен, антрацен и др.Предложенным способом получены углеродные...

Способ получения графена

Загрузка...

Номер инновационного патента: 28677

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Байтимбетова Багила Абдисаматовна, Верменичев Борис Михайлович

МПК: B82Y 40/00, B82B 3/00

Метки: графена, получения, способ

Формула / Реферат:

Способ получения графенаИзобретение относится к области получения материалов для наноэлектро­ники, в частности графена и графеновых структур, которые могут быть ис­пользованы как перспективный материал в самых различных приложениях, в том числе, как будущая основа наноэлектроники при возможной замене кремния в интегральных микросхемах.В способе получения графена к чистому порошковому графиту добавля­ют бензол или толуол и обрабатывают...

Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения

Загрузка...

Номер инновационного патента: 20594

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Кумеков Серик Ешмухамбетович, Лисицкий Олег Леонидович, Верменичев Борис Михайлович

МПК: H01L 21/203, H01L 21/04

Метки: гетеропереход, тонкопленочный, способ, полупроводниковый, получения

Формула / Реферат:

Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...