Способ приготовления пленки соединения In2Se3

Номер предварительного патента: 17678

Опубликовано: 15.08.2006

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...

Метки: приготовления, пленки, cu2se, соединения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...

Номер предварительного патента: 13843

Опубликовано: 15.12.2003

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 49/02

Метки: пленки, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 15.06.2006

Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич

МПК: C01G 13/00, C01G 11/00, C01G 19/04...

Метки: виде, cdxhg(1-x)te, пленки, способ, соединения, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения полупроводникового соединения CdõHg1-õTe, иcпользуемого в детекторах ИК-излучения, для пре­образования излучения в области длин волн 8-13 мкм и для преобразования солнечного излучения как составляющая часть в каскадном элементе.Существующие методы не позволяют получать пленки однородного заданного состава.По предлагаемому способу пленки CdхHg1-хTe полу­чают путем электрохимического...

Номер предварительного патента: 17291

Опубликовано: 14.04.2006

Автор: Гуделева Наталья Николаевна

МПК: C25D 5/50, H01L 31/06, C25D 9/04...

Метки: способ, пленки, гетероструктуры, приготовления

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...

Номер предварительного патента: 15423

Опубликовано: 15.09.2005

Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна

МПК: C25D 3/26, C25D 3/00, C25D 3/02...

Метки: пленки, электролит, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4 М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного осаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...