Патенты с меткой «in2se3»

Номер предварительного патента: 18149

Опубликовано: 15.12.2006

Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна

МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...

Метки: приготовления, соединения, in2se3, способ, пленки

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...