Патенты с меткой «пленок»

Номер полезной модели: 1631

Опубликовано: 31.08.2016

Авторы: Селиверстова Евгения Владимировна, Ибраев Ниязбек Хамзаулы, Джанабекова Румия Хамитовна

МПК: G01N 21/64

Метки: тонких, способ, получения, оксида, графена, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к производству тонкопленочных материалов и может быть использовано при получении оптически прозрачных токопроводящих наноструктур, которые могут применяться в молекулярной электронике и фотовольтаике.
Для повышения коэффициента переноса однослойного оксида графена методом Ленгмюра-Блоджетт в состав пленок добавляется амфифильная жирная кислота.

Номер инновационного патента: 31176

Опубликовано: 16.05.2016

Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна, Журинов Мурат Журинович, Гуделева Наталья Николаевна, Хусурова Гульнур Марсовна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: C01G 9/08, C23C 16/30, H01L 31/06...

Метки: изготовления, пленок, способ, тонких

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...

Номер инновационного патента: 30244

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Кадиркулова Малика Анваровна, Анарбаев Абибулла Абильдаевич, Кабылбекова Болжан Нурмановна, Высоцкая Надежда Андреевна, Бекмаш Таншолпан Бахытжановна, Айкозова Лаура Даулетбековна

МПК: C23C 22/62

Метки: формирования, натрия, антикоррозионных, пленок, способ, высокомодульными, системах, теплоснабжения, трубопроводов, поверхности, внутренней, силикатами

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области защиты от коррозии внутренней поверхности трубопроводов теплоэнергетического оборудования.В способе внутреннюю поверхность трубопроводов энергетического оборудования перед обработкой раствором силиката натрия активируют растворами кислот с концентрацией 2-10% в течение 4-8 часов, а обработку раствором силиката натрия проводят в течение 5-6 часов.Предлагаемый способ позволяет формировать антикоррозионную защитную...

Номер инновационного патента: 29516

Опубликовано: 16.02.2015

Авторы: Максимова Суюмбика Якубовна, Приходько Олег Юрьевич, Алмасов Нурлан Жумабекович, Дюсембаев Санжар Ануарович

МПК: C03C 3/32

Метки: линейной, фотопроводимости, халькогенидных, аморфных, стеклообразных, способ, спектральной, пленок, зависимостью, полупроводников, получения, модифицированных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения модифицированных аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) с линейной спектральной зависимостью фотопроводимости пленок в диапазоне длин волн от 460 нм до 830 нм, и может быть использовано в качестве полупроводниковых фоточувствительных приемников излучения.Техническим результатом является устранение нелинейной спектральной зависимости фотопроводимости пленок.Технический...

Номер инновационного патента: 28831

Опубликовано: 15.08.2014

Авторы: Тулембаева Дана Дюсембековна, Надиров Рашид Казимович, Мажибаев Асылжан Кенжекереевич, Сабиралиева Жанат Ыбрайқызы

МПК: C30B 29/50, C30B 29/00, C30B 25/02...

Метки: получения, способ, кадмия, пленок, сульфида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к химической технологии полупроводниковых материалов, в частности, к получению пленок сульфида кадмия, которые могут быть использованы в изготовлении фотоэлектрических тонкопленочных преобразователей энергии.Технический результат - снижение температуры подложки при пиролизе аэрозоля с получением пленки сульфида кадмия.Предлагаемый способ позволяет снизить температуру подложки при...

Номер инновационного патента: 28245

Опубликовано: 17.03.2014

Авторы: Кудайбергенов Саркыт Елекенович, Ибраев Ниязбек Хамзаулы, Селиверстова Евгения Владимировна

МПК: B05D 1/20, B82B 3/00, B82B 1/00...

Метки: люминесцирующих, способ, пленок, получения, наноразмерных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к производству оптических материалов и может быть использовано при получении тонкопленочных светоизлучающих структур, которые могут использоваться в лазерной технике и молекулярной электронике.
Для повышения коэффициента переноса неамфифильных молекул красителя методом Ленгмюра-Блоджетт в состав пленок добавляется органорастворимый комплекс полиэлектролит-ПАВ.

Номер инновационного патента: 26302

Опубликовано: 15.10.2012

Авторы: Приходько Олег Юрьевич, Мальтекбасов Марат Жабыкбаевич, Коробова Наталья Егоровна, Алмасов Нурлан Жумабекович, Лаврищева Анна Олеговна, Максимова Суюмбика Якубовна, Рягузов Александр Павлович

МПК: G11C 11/00

Метки: мышьякосодержащих, пленок, аморфных, стеклообразных, эффектом, халькогенидных, способ, полупроводников, хсп, биполярной, получения, фотопроводимости

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению мышьякосодержащих аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) с эффектом биполярной фотопроводимости, и может быть использовано в качестве фоточувствительных слоев в приборах и устройствах, в ксерографии, оптической и термопластической записи информации.Техническим результатом является - увеличение скорости осаждения пленок и...

Номер инновационного патента: 26301

Опубликовано: 15.10.2012

Авторы: Рягузов Александр Павлович, Алмасов Нурлан Жумабекович, Пузикова Дарья Сергеевна, Коробова Наталья Егоровна, Максимова Суюмбика Якубовна, Мальтекбасов Марат Жабыкбаевич, Приходько Олег Юрьевич

МПК: G11C 11/00

Метки: дрейфа, аморфных, стеклообразных, получения, способ, биполярного, пленок, полупроводников, халькогенидных, эффектом, мышьякосодержащих

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению мышьякосодержащих аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом биполярного дрейфа, и может быть использовано в качестве фоточувствительных слоев в приборах и устройствах, в ксерографии и оптической записи информации.Достигаемый технический результат - наличие биполярной проводимости, увеличение дрейфовой подвижности носителей...

Номер инновационного патента: 26281

Опубликовано: 15.10.2012

Авторы: Сатаев Малик Сывамбаевич, Аманбаева Каламкас Балгабаевна, Кошкарбаева Шайзада Тортаевна, Тлеуова Айым Болатбековна

МПК: C25D 15/00, C23D 18/44, C23D 18/42...

Метки: наночастиц, нанесения, серебра, способ, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения композиционных покрытий химическим путем. Наночастицы серебра наносят на металлические и диэлектрические изделия с целью придания их поверхности антикоррозионных, каталитических или бактерицидных свойств. Такие покрытия могут быть использованы в процессах синтеза химических веществ, экологии, медицине, в производстве товаров народного потребления.Задачей данного изобретения является разработка способа...

Номер инновационного патента: 23786

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Исайкина Оксана Яковлевна, Лаврищева Анна Олеговна, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: способ, купрата, основе, пленок, иттриевого, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (BTCП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Техническим результатом является ускорение процесса, увеличение однородности состава по кислороду и стабильности сверхпроводящих свойств в объеме сверхпроводящих пленок.Способ получения пленок на основе...

Номер инновационного патента: 23778

Опубликовано: 15.03.2011

Авторы: Селиверстова Евгения Владимировна, Аймуханов Айтбек Калиевич, Ибраев Ниязбек Хамзаулы

МПК: G01N 21/64

Метки: пленок, способ, получения, люминесцирующих

Формула / Реферат:

Изобретение относится к производству оптических материалов и может быть использовано для изготовления светоизлучающих оптических сред для оптоэлектроники в видимой области спектра.
Для повышения коэффициента переноса и термической стабильности пленок Ленгмюра-Блоджетт неамфифильных ароматических молекул в состав пленок добавляется амфифильный полимер.

Номер инновационного патента: 21352

Опубликовано: 15.06.2009

Авторы: Тюменцева Олеся Александровна, Кетегенов Тлек Айтмуханович, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, получения, способ, сверхпроводящих

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок включает сме­шивание биалкоголята свинца и одного из металлов: либо стронция, либо кальция (0,1 -0,2) мас.% и висмутового купрата стронция и...

Номер инновационного патента: 20707

Опубликовано: 15.01.2009

Авторы: Тюменцева Олеся Александровна, Коробова Наталья Егоровна, Кетегенов Тлек Айтмуханович

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП пленок), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения ВТСП пленок включает смешивание купрата иттрия - бария (1,0-1,5) мас.% с органическим растворителем (90,0-91,5) мас.%: либо с ацетоном, либо с одним из спиртов - изоприловым или бутиловым,...

Номер инновационного патента: 20679

Опубликовано: 15.01.2009

Авторы: Мукашев Фарид Аташевич, Айтмамбетов Рахмет Мектепбаевич

МПК: C01B 33/04

Метки: способ, аморфного, проводимости, кремния, гидрогенизированного, легированных, получения, n-типа, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам синтеза кремневодородов (силана и его производных), которые используются для выращивания полупроводникового кремния, пленок аморфного гидрогенизированного кремния в полупроводниковой промышленности, а также в качестве исходного сырья в производстве кремний-органических соединений.Предлагаемый способ, включающий использование взаимодействия силицида магния с водным раствором четырехнормальной соляной кислоты, за...

Номер инновационного патента: 20592

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Ибраев Ниязбек Хамзаулы, Афанасьев Дмитрий Анатольевич, Хуанбай Есенболды

МПК: H01B 12/06

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к созданию сверхпроводящих материалов и может быть исполь-зовано в криоэлектронике, телекоммуникационной технике и других областях при сокращении потребления первичных электроносителей и изготовлении сенсоров, сквидов.С целью понижения ширины перехода в сверх-проводящее состояние и увеличения критической температуры сверхпроводящего перехода YBaCuO-пленок температура подложки SrTiО3 поддерживается равной (1093±1) К, а...

Номер предварительного патента: 19492

Опубликовано: 15.05.2008

Авторы: Ерошина Светлана Анатольевна, Ибраев Ниязбек Хамзаулы, Кудайбергенов Саркыт

МПК: G01N 21/64

Метки: пленок, получения, способ, люминесцирующих

Формула / Реферат:

Изобретение относится к производству оптических материалов и может быть использовано для изготовления активных оптических сред для лазеров на красителях, перестраиваемых в спектральном диапазоне 580-620 нм.
Для повышения коэффициента переноса и термической стабильности пленок Ленгмюра-Блоджетт родаминового красителя в состав пленок добавляется амфифильный полимер.

Номер предварительного патента: 12044

Опубликовано: 16.09.2002

Авторы: Со Де Хва, Коробова Наталья Егоровна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/12

Метки: высокотемпературных, способ, сверхпроводящих, пленок, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких пленок, в частности к получению оксидных высокотемпературных сверхпроводящих пленок (ВТСП), и может быть использовано для создания приборов на основе эффекта сверхпроводимости.Способ получения высокотемпературных сверх­проводящих пленок включает смешивание купрата иттрия - бария (0,80-5,00) мас. % в виде частиц крупностью не более 0,1 мкм, титанового биалкоголята щелочноземельного...

Номер предварительного патента: 10138

Опубликовано: 16.04.2001

Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Дергачева Маргарита Борисовна

МПК: H01L 49/02

Метки: ртути, идентификации, получения, теллурида, способ, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...

Номер предварительного патента: 9566

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: пленок, жидкостной, эпитаксии, устройство, полупроводниковых

Формула / Реферат:

Предлагается устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок сдвигового типа, включающее подложкодержатель с выемкой для подложки и расположенный на нем блок с отверстием для расплава, размер которого в направлении движения подложкодержателя меньше длины выемки для подложки. Подложкодержатель имеет ступеньку, примыкающую к выемке для подложки и имеющую высоту не менее размера отверстия для расплава в направлении движения...

Номер предварительного патента: 9507

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Коробова Наталья Егоровна

МПК: C04B 35/46

Метки: пленок, способ, сегнетоэлектрических, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения толстых и тонких сегнетоэлектрических пленок, в частности к получению пленок титаната бария, и может быть использовано в технологии электронных материалов.Способ получения сегнетоэлектрических пленок титаната щелочнозе­мельных металлов включает нанесение на подложку методом электро­фореза в спиртовой среде раствора алкоголята титана и порошка щелочнозе­мельного металла с размером зерна не более 0,1 мкм,...

Номер предварительного патента: 4788

Опубликовано: 16.06.1997

Автор: Кайгородов Сергей Васильевич

МПК: H01B 3/12

Метки: литья, керамических, шликер, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к керамической промышленности, в частности к получению пленочных элементов из пьезокерамических материалов, используемых в качестве активной части в различных устройствах, работающих на основе пьезоэффекта.Для повышения производительности литья к равнотолщинности пленки за счет увеличения скорости сушки и устранения процессов коагуляции пленкообразователя в шликере включающем керамический порошок, поливинилбутираль,...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Каппаров Кайрат Каппарович, Таурбаев Тохтар Искатаевич, Омаров Марат Ахметович, Буранбаев Мэлс Жаканович

МПК: C30B 35/00

Метки: пленок, осуществления, углеродных, получения, способ, устройство, монокристаллических

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...

Номер патента: 1311

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 21/208

Метки: фосфида, способ, пленок, получения, арсенида, галлия-алюминия, отделенных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений типа А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности солнечных элементов. Целью изобретения является экономия подложечного материала за счет уменьшения глубины травления. Приведение алюминийсоцержашего расплава олова в контакт с подложкой арсенида или фосфида галлия сопровождается образованием...

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: пленок, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...