Патенты с меткой «полупроводникового»

Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия

Загрузка...

Номер инновационного патента: 31479

Опубликовано: 15.09.2016

Авторы: Сатаева Сапура Саниевна, Бурахта Вера Алексеевна

МПК: G01N 27/30

Метки: модифицирования, галлия, основе, потенциометрического, полупроводникового, материала, способ, сенсора, электрохимический, арсенида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...

Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: ПИХАН, Этьенн, КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис

МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, F28F 3/04...

Метки: полупроводникового, отверждения, теплообменник, системы, кристаллизации, материала

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25348

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Утегулов Болатбек Бахитжанович, Марковский Вадим Павлович, Жакипов Нажмитден Берекелиулы, Копырин Владимир Сергеевич, Исенов Султанбек Сансызбаевич

МПК: H02H 7/12, H02H 7/08

Метки: дифференциальной, полупроводникового, защиты, реверсивного, преобразователя, устройство

Формула / Реферат:

Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупроводниковых преобразователей. Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя, введены второй датчик переменного тока на входе реверсивного преобразователя, к выходу которого подключен второй выпрямитель, к выходу которого подключен линейный элемент. Блок диагностики силового...

Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5

Загрузка...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводникового, соединения, группы, подложке, способ, получения, металла, кластеров

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Устройство для дифференциальной защиты полупроводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов

Номер предварительного патента: 19641

Опубликовано: 16.06.2008

Автор: Марковский Вадим Павлович

МПК: H02H 7/12

Метки: использованием, устройство, магнитоуправляемых, приборов, защиты, дифференциальной, преобразователя, полупроводникового

Формула / Реферат:

Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупро-водниковых преобразователей.Технический результат изобретения - повыше-ние надежности и быстродействия.Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты полуп-роводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов, введены магнито-диод, находящийся внутри катушки подключенной на выходе выпрямителя,...