Патенты с меткой «полупроводникового»
Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия
Номер инновационного патента: 31479
Опубликовано: 15.09.2016
Авторы: Сатаева Сапура Саниевна, Бурахта Вера Алексеевна
МПК: G01N 27/30
Метки: арсенида, модифицирования, основе, электрохимический, способ, сенсора, полупроводникового, галлия, потенциометрического, материала
Формула / Реферат:
Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис, ПИХАН, Этьенн
МПК: C30B 11/00, F28F 3/04, C30B 29/06...
Метки: системы, отверждения, теплообменник, материала, полупроводникового, кристаллизации
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...
Устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя
Номер инновационного патента: 25348
Опубликовано: 20.12.2011
Авторы: Копырин Владимир Сергеевич, Жакипов Нажмитден Берекелиулы, Марковский Вадим Павлович, Исенов Султанбек Сансызбаевич, Утегулов Болатбек Бахитжанович
Метки: дифференциальной, преобразователя, полупроводникового, устройство, реверсивного, защиты
Формула / Реферат:
Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупроводниковых преобразователей. Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя, введены второй датчик переменного тока на входе реверсивного преобразователя, к выходу которого подключен второй выпрямитель, к выходу которого подключен линейный элемент. Блок диагностики силового...
Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5
Номер инновационного патента: 25347
Опубликовано: 20.12.2011
Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович
МПК: H01L 21/208
Метки: подложке, способ, металла, полупроводникового, кластеров, соединения, группы, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...
Устройство для дифференциальной защиты полупроводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов
Номер предварительного патента: 19641
Опубликовано: 16.06.2008
Автор: Марковский Вадим Павлович
МПК: H02H 7/12
Метки: магнитоуправляемых, преобразователя, дифференциальной, защиты, устройство, приборов, использованием, полупроводникового
Формула / Реферат:
Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупро-водниковых преобразователей.Технический результат изобретения - повыше-ние надежности и быстродействия.Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты полуп-роводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов, введены магнито-диод, находящийся внутри катушки подключенной на выходе выпрямителя,...