Патенты с меткой «полупроводникового»
Электрохимический способ модифицирования потенциометрического сенсора на основе полупроводникового материала из арсенида галлия
Номер инновационного патента: 31479
Опубликовано: 15.09.2016
Авторы: Бурахта Вера Алексеевна, Сатаева Сапура Саниевна
МПК: G01N 27/30
Метки: галлия, сенсора, основе, потенциометрического, арсенида, модифицирования, материала, полупроводникового, электрохимический, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к аналитической измерительной технике. Модифицированный GaAs-электрод можно использовать для определения действующих веществ в циан- и йодсодержащих пестицидах; хлоридов в природных водах и почвенных вытяжках методом потенциометрического титрования.Целью изобретения является модифицирование поверхности электрода на основе арсенида галлия электрохимическим способом для придания более устойчивой электродной функции к катионам...
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: КОУДУРИЕР, Николас, КАМЕЛ, Дэнис, ПИХАН, Этьенн
МПК: C30B 11/00, C30B 29/06, F28F 3/04...
Метки: кристаллизации, отверждения, полупроводникового, теплообменник, материала, системы
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...
Устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя
Номер инновационного патента: 25348
Опубликовано: 20.12.2011
Авторы: Жакипов Нажмитден Берекелиулы, Копырин Владимир Сергеевич, Марковский Вадим Павлович, Исенов Султанбек Сансызбаевич, Утегулов Болатбек Бахитжанович
Метки: полупроводникового, дифференциальной, преобразователя, реверсивного, защиты, устройство
Формула / Реферат:
Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупроводниковых преобразователей. Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты реверсивного полупроводникового преобразователя, введены второй датчик переменного тока на входе реверсивного преобразователя, к выходу которого подключен второй выпрямитель, к выходу которого подключен линейный элемент. Блок диагностики силового...
Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5
Номер инновационного патента: 25347
Опубликовано: 20.12.2011
Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович
МПК: H01L 21/208
Метки: кластеров, подложке, способ, полупроводникового, группы, металла, получения, соединения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...
Устройство для дифференциальной защиты полупроводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов
Номер предварительного патента: 19641
Опубликовано: 16.06.2008
Автор: Марковский Вадим Павлович
МПК: H02H 7/12
Метки: магнитоуправляемых, приборов, преобразователя, полупроводникового, устройство, использованием, дифференциальной, защиты
Формула / Реферат:
Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к устройствам защиты полупро-водниковых преобразователей.Технический результат изобретения - повыше-ние надежности и быстродействия.Технический результат достигается тем, что в устройство для дифференциальной защиты полуп-роводникового преобразователя с использованием магнитоуправляемых приборов, введены магнито-диод, находящийся внутри катушки подключенной на выходе выпрямителя,...