Антощенко Владимир Степанович

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: преобразователь, энергии, солнечной, комбинированный

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Мессерле Владимир Ефремович, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, излучения, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: расположенной, арсенида, пленки, фосфида, галлия-алюминия, свободно, монокристаллической, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, концентрированного, излучения

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Номер инновационного патента: 27787

Опубликовано: 18.12.2013

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: устройство, пленочных, расположенных, монокристаллических, свободно, выращивания, структур

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для получения монокристаллических полупроводниковых слоев методом жидкостной эпитаксии, в частности, для получения свободно расположенных многослойных тонкопленочных структур.Достигаемый технический результат - выращивание свободно расположенных монокристаллических пленочных структур, содержащих более одного слоя.Предлагается устройство для выращивания свободно...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/208

Метки: кластеров, получения, соединения, металла, подложке, группы, способ, полупроводникового

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Номер инновационного патента: 20350

Опубликовано: 17.11.2008

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: концентрированного, однопереходный, излучения, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования солнечной энергии в электричество.Предлагается однопереходный фотопреобразова-тель концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с р-п-пере-ходом, фронтальным и тыльным омическими контактами и с равномерно распределенными по площади сквозными отверстиями, через которые фронтальный...

Номер предварительного патента: 19500

Опубликовано: 15.05.2008

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, однопереходный, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество.Достигаемый технический результат снижение теплового сопротивления фотопреобразователя.Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательный элемент с первым токосъемным электродом, в которых...

Номер предварительного патента: 13085

Опубликовано: 15.05.2003

Авторы: Пак Сергей Павлович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 31/06

Метки: солнечного, однопереходной, излучения, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к фотопреобразователям, и может быть использовано для преобразования концентрированных потоков солнечной радиации в электричество. Достигаемый технический результат - снижение омических и оптических потерь энергии. Предлагается однопереходный фотопреобразователь концентрированного излучения, включающий фотопреобразовательную структуру с первым тыльным теплоотводящим токосъемным...

Номер предварительного патента: 9566

Опубликовано: 16.10.2000

Автор: Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: эпитаксии, жидкостной, пленок, полупроводниковых, устройство

Формула / Реферат:

Предлагается устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых пленок сдвигового типа, включающее подложкодержатель с выемкой для подложки и расположенный на нем блок с отверстием для расплава, размер которого в направлении движения подложкодержателя меньше длины выемки для подложки. Подложкодержатель имеет ступеньку, примыкающую к выемке для подложки и имеющую высоту не менее размера отверстия для расплава в направлении движения...

Номер предварительного патента: 9567

Опубликовано: 16.10.2000

Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: H01L 31/06

Метки: двухкаскадный, трехэлектродный, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается тонкопленочный двухкаскадный трехэлектродный фотопреобразователь, включающий монолитно связанные широкозонный и узкозонный элементы, в которых база верхнего и эмиттер нижнего элементов выполнены из материала одного типа проводимости и имеют общий электрический контакт. Общий электрический контакт расположен в канавке, образованной в нижнем узкозонном элементе под верхним электрическим контактом широкозонного элемента. Подобное...