C01B 33/02 — кремний

Номер патента: 31438

Опубликовано: 15.08.2016

Авторы: ПЕЛЛЕТЬЕ Давид, ЖУЕНИ, Анис, ГАРАНДЕ, Жан-Поль

МПК: C30B 28/06, C01B 33/02, C30B 11/00...

Метки: осуществления, способ, дополнительным, получения, кристаллического, тепла, кристаллизацией, источником, снабженное, направленной, материала, боковым, устройство

Текст:

...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...

Номер инновационного патента: 30164

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Токмолдин Нурлан Серекболович, Ракыметов Багдат Аскарович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C01B 33/06, C01B 33/02, H01M 4/02...

Метки: фотоэлектрод, кремниевый

Формула / Реферат:

Изобретение относится к водородной и солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках получения и аккумулирования водорода. В результате реакции фотоэлектролиза воды солнечная энергия аккумулируется в виде энергии химического топлива водорода и кислорода.В качестве фотокатода используется пористый кремний р-типа с силицидовыми связями внутри пор, что за счет развитой поверхности пористого кремния, приводит к снижению...

Номер патента: 26641

Опубликовано: 25.12.2012

Авторы: Толымбеков Манат Жаксыбергенович, Назарбаев Нурсултан Абишевич, Сухарников Юрий Иванович, Школьник Владимир Сергеевич, Жарменов Абдурасул Алдашевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/025, C01B 33/00...

Метки: кремния, получения, поликристаллического, способ, рисовой, шелухи

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области термической переработки рисовой шелухи и может быть использовано в производстве поликристаллического кремния.Технический результат изобретения - повышение извлечения кремния и снижение энергозатрат на процесс.Технический результат достигается способом полученияполикристаллического кремния из рисовой шелухи, включающийгидроочистку, пиролиз, окислительный обжиг и карботермическоевосстановление...

Номер инновационного патента: 26252

Опубликовано: 15.10.2012

Авторы: Бектурганов Нуралы Султанович, Чумиков Геннадий Николаевич, Токмолдин Нурлан Серекболович, Тамендаров Марат Фатыхович, Солиман Аль-Ховайтер, Токмолдин Серекбол Жарылгапович

МПК: C01B 33/02

Метки: порошка, отделения, очистки, кремниевого, примесей, шлака, диспергирование, кремния, способ, кускового, порошок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу удаления примесей из металлургического кремния для получения кремния, используемого при изготовлении солнечных модулей.Описывается способ удаления примесей из расплавленного металлургического кремния при атмосферном давлении в воздухе, включающий в себя: 1) обработку расплавленного кремния щелочным шлаком, 2) охлаждение смеси, сопровождаемое расщеплением шлака, что способствует его отделению от кремния, 3)...

Номер инновационного патента: 23446

Опубликовано: 15.12.2010

Авторы: Токмолдин Серикбол Жарылгапович, Тныштыкбаев Курбангали Байназарович, Рябикин Юрий Алексеевич

МПК: H01M 4/02, C01B 33/021, C01B 33/02...

Метки: тонких, способ, пластин, кремния, получения

Формула / Реферат:

Способ получения тонких пластин кремния путем электрохимического отделения от исходного образца позволяет получать простым экономичным электрохимическим методом тонкие пластины кремния, что может быть использовано для формирования различных приборов и приборных структур, в том числе, структур кремний на изоляторе, КНИ, с высокими структурными и электрическими параметрами.Способ получения тонких пластин кремния путем отделения от исходного...

Номер инновационного патента: 22908

Опубликовано: 15.09.2010

Авторы: Доспаев Дархан Муратович, Каримова Люция Монировна, Баешев Абдуали Баешевич, Жумашев Калкаман Жумашевич, Доспаев Мурат Мантенович

МПК: C01B 33/02

Метки: получения, меди, способ, порошка

Формула / Реферат:

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к спосо­бам получения металлических порошков, и может, использована при получе­нии порошка меди из оксида одновалентной меди.Порошок меди получаемый электролизом используется в меднографитовом производстве, в металлургии редких металлов и химической промыш­ленности в качестве реагентов, в порошковой металлургии для изготовления деталей прессованием, для изготовления алмазных...

Номер инновационного патента: 22589

Опубликовано: 15.06.2010

Автор: Каримова Люция Монировна

МПК: C25B 1/12, C01B 33/02, C30B 35/00...

Метки: получения, силиката, меди, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области порошковой металлургии и может быть использовано для получения дисперсного порошка силиката меди. Силикат меди применяется в качестве основного компонента при изготовлении противоизносной хемиплакирующей смазочной композиции (ХПСК), которая способствует снижению износа в тяжелонагруженных узлах трения промышленного оборудования.Сущность изобретения заключается в том, что силикат меди получа­ют путем электролиза из...

Номер инновационного патента: 22588

Опубликовано: 15.06.2010

Авторы: Ермекова Жанна Сериковна, Мансуров Зулхаир Аймухаметович, Абдулкаримова Роза Габдуловна, Мукасьян Александр Сергеевич, Вонгай Игорь Михайлович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/02

Метки: кремния, получения, способ, технического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения кремния восстановлени­ем диоксида кремния, а именно, к способам получения технического крем­ния, который используется для переработки в полупроводниковый кремний высокой чистоты, а также для получения кремнийорганических соединений.Способ получения технического кремния включает смешивание стехиометрических количеств порошкообразных диоксида кремния и магния, засыпку слоем углерода дисперсностью 70 - 120...

Номер инновационного патента: 21791

Опубликовано: 15.10.2009

Автор: Тныштыкбаев Курмангали Байназарович

МПК: C01B 33/02

Метки: рафинирования, кремния, увртк, установка, высокотемпературного, технического

Формула / Реферат:

Установка высокотемпературного рафи-нирования технического кремния УВРТК, может быть использована в цветной металлургии и в металлургии чистых, высокочистых и тугоплавких материалов.Предложенная установка позволяет проводить высокотемпературный процесс рафинирования технического кремния от трудноудаляемых примесей бора, фосфора, алюминия и др. элементов.УВРТК создана путем комбинирования высокотемпературной электродуговой плавильной печи с...

Номер инновационного патента: 21611

Опубликовано: 14.08.2009

Автор: Тныштыкбаев Курбангали Байназарович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/06, H01M 4/02...

Метки: фотоэлектрод, кремниевый

Формула / Реферат:

Изобретение относится к энергетической промышленности, а именно к солнечно-водородной энергетике и может быть использовано в установках фотоэлектрического аккумилирования солнечной энергии.Техническим результатом является повышение эффективности аккумулирования солнечной энергии за счет развитой поверхности пористого кремния, снижение величины перенапряжения и увеличение скорости выделения водорода за счет проявления квантово-размерных...

Номер предварительного патента: 18698

Опубликовано: 15.08.2007

Автор: Жантасов Манап Курманбекович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: получения, способ, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения кремния, который может быть использован в электронной промышленности.Задача изобретения - повышение выхода готового продукта - кремния.Техническим результатом предлагаемого способа является получение кремния с чистотой 99,5 % Si.Технический результат достигается тем, что в предлагаемом способе получения кремния в качестве сырьевой смеси используют белую сажу и шлам производства карбида кремния,...

Номер предварительного патента: 18449

Опубликовано: 15.05.2007

Авторы: Туякбаев Даулет Алтаевич, Бияров Телеухан Нуралдаевич, Ажибекова Алия Сапарбековна, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/027, C01B 33/02

Метки: получения, кремния, поликристаллического, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химической технологии, а именно, к способам получения поликристаллического кремния.Задачей изобретения является разработка способа получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза трихлорсилана из технического кремния в реакторе, путем взаимодействия его с сухим хлористым водородом, последующей очистки парогазовой смеси, водородного восстановления при одновременном осаждении выделяющегося...

Номер предварительного патента: 17978

Опубликовано: 15.11.2006

Автор: Бишимбаев Валихан Козыкеевич

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии, а именно к металлургическим способам получения кремния, который может быть использован при дальнейшей переработке в качестве материала при изготовлении солнечных элементов.Получение кремния осуществляется восстановительной электроплавкой с предварительной шихтовкой исходных материалов кремнеземсодержащего сырья и восстановителя в присутствии жидкого стекла. Процесс электроплавки осуществляют первоначально в...

Номер предварительного патента: 17865

Опубликовано: 16.10.2006

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Тамендаров Марат Фатыхович, Мукашев Булат Нигматович, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Кулекеев Жаксыбек Абдрахметович, Бектурганов Нуралы Султанович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/021, C01B 33/02...

Метки: получения, способ, кремния, чистого

Формула / Реферат:

Способ получения чистого кремния алюминотермическим восстановлением диоксида кремния в кремнийсодержащих фосфорных шлаках для фотоэлектронной промышленности, в т. ч. для изготовления солнечных батарей.Фосфорный шлак загружают в графитовый тигель, доводят до плавления индукционным нагревом при эвтектической температуре, после чего добавляют алюминий. Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций, отделяется от шлака и...

Номер предварительного патента: 16638

Опубликовано: 15.12.2005

Авторы: Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Сулейменов Эркенбек Аятаевич, Протопопов Анатолий Всеволодович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к плазменному способу производства кремния для солнечныхэлементов, и позволяет повысить качество продукта, увеличить степень извлечениякремния. В шахту печи загружают кусковой кварцит, в качестве восстанавливающегоагента и плазмообразующего газа используют обезвоженный эндогаз, а внутреннюю поверхностьпечи покрывают наплавленным кварцитом. Для сохранения кварцевого покрытия в плазменнойзоне печи стенки охлаждаются.

Номер предварительного патента: 16400

Опубликовано: 15.11.2005

Авторы: Туякбаев Данияр Алтайевич, Шалабаев Жарилкасин Аймагамбетович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: способ, получения, кремния, поликристаллического

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области химическойтехнологии, а именно к способам получения поликристаллического кремния.Способ включает процесс синтеза тетрахлоридакремния и трихлорсилана из технического кремнияпутем взаимодействия его с сухим хлористым водородом при нагревании, последующей очистке парогазовой смеси и водородном восстановлении с помощью водорода, получаемого из чистого водногораствора с рН=7,5-8,5, при одновременном осаждении...

Номер предварительного патента: 12181

Опубликовано: 15.11.2002

Авторы: Бекетов Борис Анатольевич, Нельмут Енгель, Турсунов Куанычбек

МПК: C01B 33/021, C01B 33/02

Метки: повышенной, получения, чистоты, кремния, порошка, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу производства кремния повышенной чистоты и позволяет использовать его для изготовления солнечных элементов.Способ получения порошка кремния включает карботермическое восстановление кварцитов и обработку водным раствором неорганических кислот, при этом во время процесса восстановления проводят рафинацию кремния смесью SiО2:CaF2 при соотношении, равном 1:1 и в количестве 5-10 % от загрузки восстановителя, в...

Номер предварительного патента: 11188

Опубликовано: 15.02.2002

Авторы: Туякбаев Данияр Алтаевич, Поздняков Алексей Владимирович, Алдамжаров Казбек Бахитович, Таурбаев Токтар Искатаевич, Туякбаев Альтай Альшерович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/021

Метки: поликристаллического, способ, получения, кремния

Формула / Реферат:

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения поликристаллического кремния полупроводниковой чистоты.Тетрахлорид кремния в предлагаемом способе получают, воздействуя хлором на кварцевое сырье, например, кварцевый песок при температуре 900-1300 °С. Полученный продукт очищают ректификацией, и ректификат подают в реактор для восстановления водородом. При этом восстановленный кремний оседает на нагреваемых кремниевых...

Номер предварительного патента: 4627

Опубликовано: 16.06.1997

Авторы: Гибадуллин Владимир Шарипович, Бекетов Борис Анатольевич, Сарсембинов Шамши Шарипович, Мукашев Булат Нигматович, Тамендаров Марат Фатыхович

МПК: C01B 33/02

Метки: способ, кремния, получения

Формула / Реферат:

Способ получения кремния из отходов фосфорного производства методом алюминотермического восстановления фосфорных шлаков при температуре 1200-1300°С в присутствии добавки, включающей смешение фосфорных шлаков с алюминием в массовом соотношении, равном 1: 0,3-0,5. В расплав шлака перед смешением с алюминием вводят карбонат магния в количестве 5-20 мас. % от массы алюминия, а в качестве добавки во время протекания окислительно-восстановительной...