C25D 9/04 — неорганическими материалами
Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия
Номер инновационного патента: 28251
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович
МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...
Метки: способ, повышенным, содержанием, галлия, приготовления, двухстадийный, соединения, пленки, cuinxga1-x
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...
Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.
Номер патента: 26506
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...
Метки: пленки, соединения, cugase2, способ, приготовления
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...
Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали
Номер инновационного патента: 26734
Опубликовано: 15.03.2013
Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Айт Сауык, Егеубаева Саламат Сабитовна, Журинов Мурат Журинович, Ахмет Окен, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: C25D 9/04, G01N 27/48, G01N 27/26...
Метки: коррозии, концентрации, способ, стали, определения, защитной, ингибитора
Формула / Реферат:
Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали. Известный электрохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии стали методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе...
Способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии латуни
Номер инновационного патента: 26733
Опубликовано: 15.03.2013
Авторы: Егеубаева Саламат Сабитовна, Тлепберген Жазира Жарылкасыновна, Журинов Мурат Журинович, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич, Айт Сауык, Ахмет Окен
МПК: H01L 31/18, G01N 27/26, C25D 9/04...
Метки: ингибитора, способ, латуни, коррозии, защитной, концентрации, определения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к вольтамперометрическому способу определения защитной концентрации ингибитора коррозии латуни. Известный электрохимический способ определения защитной концентрации ингибитора коррозии методом поляризационного сопротивления имеет ряд ограничений при его использовании, отличается длительностью исследований, большой затратой времени на обработку поляризационных кривых. Благодаря тому, что в предложенном способе определение...
Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации
Номер инновационного патента: 26412
Опубликовано: 15.11.2012
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Журинов Мурат Журинович, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич
МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: соединения, цементации, методом, способ, cuinse2, пленки, получения
Формула / Реферат:
РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...
Способ определения концентрации селена (IV)
Номер инновационного патента: 23782
Опубликовано: 15.03.2011
Авторы: Журинов Мурат Журинович, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: G01N 27/48, C25D 9/04, G01N 27/26...
Метки: определения, способ, селена, концентрации
Формула / Реферат:
Изобретение относится к инверсионно-вольтамперометрическому способу анализа селена (IV). Известный способ анализа селена (IV) на электроактивных (серебряный, свинцовый) электродах, с использованием в качестве фонового электролита 0,1 М HCI с добавлением меди, содержит большое количество операций и обладает невысокой воспроизводимостью. Благодаря тому, что в предложенном способе анализ селена (IV) проводят на электроактивном медном дисковом...
Способ приготовления пленки соединения CuInxGa1-xSe2
Номер инновационного патента: 22689
Опубликовано: 15.07.2010
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна
МПК: C25D 9/04, O1L 31/18, O1L 31/06...
Метки: cuinxga1-xse2, пленки, способ, приготовления, соединения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...
Способ получения пленки CdTe из неводного электролита на основе этиленгликоля
Номер инновационного патента: 22447
Опубликовано: 15.04.2010
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Ким Ирина Эдуардовна, Пенькова Наталья Владимировна
МПК: C25D 9/04
Метки: получения, пленки, электролита, этиленгликоля, неводного, способ, основе
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...
Способ получения пленки CuInSe2 с нанокристаллической структурой
Номер инновационного патента: 21818
Опубликовано: 15.10.2009
Автор: Журинов Мурат Журинович
МПК: O1L 31/18, O1L 31/06, C25D 9/04...
Метки: способ, нанокристаллической, структурой, получения, пленки, cuinse2
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CuInSe2 с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CuInSe2 с размером зерен 300-500 Å путем внутреннего электролиза (цементации) на медной подложке из раствора 2М NH4CI, содержащего индий (III) и селен (IV), не позволяет получить пленку CuInSe2 с меньшим размером зерен.Благодаря тому, что в предложенном...
Способ получения пленки Cu2Se
Номер инновационного патента: 21145
Опубликовано: 15.04.2009
Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: H01L 31/06, H01L 31/18, C25D 9/04...
Метки: способ, cu2se, получения, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки селенида одновалентной меди Cu2Se. Известный способ получения пленки селенида меди путем химического осаждения из водного раствора, содержащего катионы меди, плавиковую и селенистую кислоты, с использованием двух сопряженных гальванических реакций, на кремниевые подложки не позволяет получать пленки Cu2Se со строго заданным фазовым и стехиометрическим составом.Благодаря тому, что в...
Способ приготовления пленки соединения CuInSe2
Номер инновационного патента: 20093
Опубликовано: 15.09.2008
Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Димитриевна, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...
Метки: приготовления, cuinse2, соединения, способ, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготов-ления пленки соединения CuInSe2. Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида на поверхности титанового или нике-левого катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди(II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной фазовым и стехиометрическим составом Cu:In:Se =1:1:2.Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве катода...
Способ приготовления пленки соединения CuInSe2
Номер предварительного патента: 19124
Опубликовано: 15.02.2008
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Григорьева Валентина Петровна, Чайкин Владимир Владимирович, Стацюк Вадим Николаевич, Протопопова Гертруда Дмитриевна
МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...
Метки: приготовления, способ, пленки, соединения, cuinse2
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...
Способ приготовления пленки соединения In2Se3
Номер предварительного патента: 18149
Опубликовано: 15.12.2006
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Григорьева Валентина Петровна, Чайкин Владимир Владимирович
МПК: C25D 9/04, H01L 31/18, H01L 31/06...
Метки: соединения, приготовления, in2se3, пленки, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...
Способ приготовления пленки соединения Cu2Se
Номер предварительного патента: 17678
Опубликовано: 15.08.2006
Авторы: Чайкин Владимир Владимирович, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: H01L 31/18, H01L 31/06, C25D 9/04...
Метки: пленки, соединения, cu2se, приготовления, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...
Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS
Номер предварительного патента: 17291
Опубликовано: 14.04.2006
Автор: Гуделева Наталья Николаевна
МПК: C25D 5/50, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: приготовления, гетероструктуры, пленки, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS, которая используется в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую.Способ приготовления пленки гетероструктуры CdTe/CdS заключается в последовательном нанесении на поверхность стеклянной пластины методом напыления слоя оксида олова толщиной 0,2 мкм с последующим отжигом при 550 °С в течение 60 мин, затем методом химического...