C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 31438

Опубликовано: 15.08.2016

Авторы: ГАРАНДЕ, Жан-Поль, ЖУЕНИ, Анис, ПЕЛЛЕТЬЕ Давид

МПК: C01B 33/02, C30B 11/00, C30B 28/06...

Метки: устройство, осуществления, тепла, источником, снабженное, способ, боковым, направленной, материала, дополнительным, получения, кристаллического, кристаллизацией

Текст:

...ной близости от указанной линии тройного контактирования. 13. Способ по п.12, отличающийся тем, что индукционная катушка (6) размещается на расстоянии от 1 до 20 мм по отношению к указанной линии тройного контактирования в перпендикулярном направлении . 14. Способ по п.12, отличающийся тем, что указанный кристаллический материал является полупроводниковым материалом, который имеет более высокую электропроводность в жидкой фазе,чем в твердой...

Номер патента: 31275

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: ТРУБИЦЫН, Михаил Александрович, ДОАН, Ван Дат, ГАБРУК, Наталья Георгиевна, ЛЕ, Ван Тхуан

МПК: B82B 3/00, A61L 27/12, B82Y 30/00...

Метки: кремнийзамещенного, гидроксиапатита, получения, способ, нанокристаллического

Формула / Реферат:

Способ получения монофазового нанокристаллического кремнийзамещенного гидроксиапатита, который может быть использован для производства медицинских материалов, стимулирующих восстановление дефектов костной ткани, в том числе в стоматологии, относится к технологии получения неорганических материалов. Синтез кремнийсодержащего гидроксиапатита со степенью замещения кремнием х = 1 - 2 и молярного отношения Са/(Р + Si) близким к 1,67 ведут методом...

Номер инновационного патента: 30646

Опубликовано: 15.12.2015

Авторы: Исмаилов Данияр Валерьевич, Габдуллин Маратбек Тулебергенович, Абдуллин Хабибулла Абдуллаевич, Батрышев Дидар Галымович

МПК: C01B 31/02, B07B 9/00, B82Y 40/00...

Метки: синтеза, одновременной, нанотрубок, осуществления, сепарацией, устройство, способ, углеродных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области неорганической химии технологических процессов и транспортирования, и представляет собой новый способ сепарации углеродных нанотрубок (УНТ) на одностенные и многостенные нанотрубки в процессе их синтеза методом химического осаждения из газовой фазы. Углеродные нанотрубки находят свое применение в различных областях промышленности: в материалах текстильного производства, в деталях космических кораблей, в...

Номер патента: 30495

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: КАМЕЛ, Дэнис, КОУДУРИЕР, Николас, ПИХАН, Этьенн

МПК: F28F 3/04, C30B 29/06, C30B 11/00...

Метки: кристаллизации, материала, теплообменник, полупроводникового, системы, отверждения

Формула / Реферат:

31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...

Номер патента: 30494

Опубликовано: 15.10.2015

Авторы: КУСТЬЕ, Фабрис, КАМЭЛЬ, Дэни, ПИАН, Этьен, ЖУЕНИ, Анис

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/06...

Метки: тепловое, имеющем, неравномерное, получения, кристаллического, сопротивление, материала, устройство, тигле

Текст:

...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...

Номер инновационного патента: 30246

Опубликовано: 17.08.2015

Авторы: Омаров Марат Ахметович, Клименов Василий Васильевич, Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Чучвага Николай Алексеевич, Токмолдин Нурлан Серекболович

МПК: C30B 30/04, C30B 30/02, C30B 29/06...

Метки: получения, способ, кремния, основе, структур, тонкопленочных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...

Номер инновационного патента: 30108

Опубликовано: 15.07.2015

Авторы: Тулеушев Юрий Жианшахович, Володин Валерий Николаевич

МПК: C30B 31/20, H01L 39/00, C30B 31/22...

Метки: легирования, тантала, кадмием, способ

Формула / Реферат:

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ТАНТАЛА КАДМИЕМИзобретение относится к области получения специальных сплавов в виде по­крытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машино­строении, материаловедении и других отраслях.Способ легирования тантала кадмием включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состоя­ние и соосаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером...

Номер инновационного патента: 29288

Опубликовано: 15.12.2014

Авторы: Каплан Валерий, Досмухамедов Нурлан Калиевич, Меркулова Валентина Петровна

МПК: C22B 15/14, C30B 13/16

Метки: плавкой, сверхчистых, получения, зонной, металлов, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано для металлов, применяемых в области высоких технологий: микроэлектронике, нанотехнологиях, изготовлении многофункциональных сплавов с определёнными свойствами. Задачей предлагаемого изобретения является получение сверхчистых металлов зонной плавкой, отвечающих условиям их применения в области высоких технологий. Для решения поставленной задачи нагрев материала...

Номер инновационного патента: 28831

Опубликовано: 15.08.2014

Авторы: Тулембаева Дана Дюсембековна, Сабиралиева Жанат Ыбрайқызы, Надиров Рашид Казимович, Мажибаев Асылжан Кенжекереевич

МПК: C30B 29/00, C30B 25/02, C30B 29/50...

Метки: кадмия, сульфида, получения, способ, пленок

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к химической технологии полупроводниковых материалов, в частности, к получению пленок сульфида кадмия, которые могут быть использованы в изготовлении фотоэлектрических тонкопленочных преобразователей энергии.Технический результат - снижение температуры подложки при пиролизе аэрозоля с получением пленки сульфида кадмия.Предлагаемый способ позволяет снизить температуру подложки при...

Номер инновационного патента: 28704

Опубликовано: 15.07.2014

Авторы: Володин Валерий Николаевич, Жаканбаев Елдар Асхатович, Тулеушев Юрий Жианшахович

МПК: C30B 31/22, C30B 31/20

Метки: пленке, кремния, легирования, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных покрытий для тонкопле­ночных фотоэлементов и может быть использовано в материаловедении и других отрас­лях.Способ легирования кремния в пленке включает одновременное со сдвигом в про­странстве распыление кремния и легирующего элемента в нанодисперсное состояние, со-осаждение их субслоями в виде островкового покрытия размером частиц кремния и/или легирующего элемента менее критического, при...

Номер инновационного патента: 22589

Опубликовано: 15.06.2010

Автор: Каримова Люция Монировна

МПК: C01B 33/02, C25B 1/12, C30B 35/00...

Метки: способ, силиката, получения, меди

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области порошковой металлургии и может быть использовано для получения дисперсного порошка силиката меди. Силикат меди применяется в качестве основного компонента при изготовлении противоизносной хемиплакирующей смазочной композиции (ХПСК), которая способствует снижению износа в тяжелонагруженных узлах трения промышленного оборудования.Сущность изобретения заключается в том, что силикат меди получа­ют путем электролиза из...

Номер инновационного патента: 21224

Опубликовано: 15.05.2009

Авторы: КИМ Леонид Алексеевич, ТЕН Роберт Константинович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/025, C30B 29/06...

Метки: рудного, монокристаллического, сырья, способа, кремния, получения, устройство, способ, осуществления

Формула / Реферат:

Предлагаемый способ и устройство относятся к технологии получения монокристаллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния.Задачей предлагаемого технического решения является создание способа получения моно-кристалллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния и...

Номер патента: 15425

Опубликовано: 15.10.2007

Авторы: Володин Валерий Николаевич, Тулеушев Юрий Жианшахович, Тулеушев Адил Жианшахович

МПК: H01L 39/00, C30B 31/22, C30B 31/20...

Метки: металлов, пленках, легирования, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения специальных сплавов в виде покрытий или самонесущих изделий и может быть использовано в металлургии, машиностроении, материаловедении и других отраслях. Способ легирования металла в пленках включает одновременное со сдвигом в пространстве распыление металла и легирующего элемента в нанодисперсное состояние в плазме низкого давления и соосаждение их субслоями поочередным повторяющимся пересечением потоков...

Номер предварительного патента: 18788

Опубликовано: 17.09.2007

Авторы: Адырбаева Татьяна Амановна, Жакипбаев Бибол Ермуратович, Джанпайзов Ербол Курбаналиевич, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Есимов Беген Омарович, Серимбетов Мурат Мейрбахытович

МПК: C30B 35/00

Метки: головка, кислорода, печь, аппарата, кристаллизационную, подачи, шихты

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом Вернейля, в частности к головке аппарата для подачи шихты и кислорода в кристаллизационную печь.Снижение потерь шихты и рациональное использование времени технологического процесса синтеза кристаллов достигается тем, что в головке аппарата для подачи шихты и кислорода в кристаллизационную печь, содержащей конус, внешний цилиндр, тонкую мембрану, затвор для засыпки шихты, вибрационную...

Номер предварительного патента: 17773

Опубликовано: 15.09.2006

Авторы: Серимбетов Мурат Мейрбахытович, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Джанпайзов Ербол Курбаналиевич, Есимов Беген Омарович, Жакипбаев Бибол Ермуратович, Адырбаева Татьяна Амановна, Ахмедов Мурад Абдумавланович

МПК: C30B 29/20, C30B 35/00

Метки: кристаллов, синтеза, установка

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области синтеза минералов, в частности к установкам для синтеза кристаллов корунда и его разновидностей.Повышение температуры прогрева шихты за счет увеличения степени смешения газов кислорода и водорода достигается тем, что в установке для синтеза кристаллов корунда и его разновидностей, содержащей головку аппарата с бункером для шихты с ситом на дне, трубку для подачи смеси шихты с газом, горелку, керамическое сопло,...

Номер предварительного патента: 12932

Опубликовано: 15.04.2003

Автор: Туткабаев Талгат Мырзашевич

МПК: C30B 29/04, C01B 31/06

Метки: алмаза, способ, получения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способу получения алмаза ювелирной чистоты. Технический результат достигается путем дегидрирования соединений гомологического ряда адамантана хиноидными соединениями в присутствии алмазной затравки.

Номер патента: 3811

Опубликовано: 15.03.2001

Автор: Теут Андрей Олегович

МПК: C22C 32/00, C22C 1/03, C30B 29/12...

Метки: материалов, полупроводниковых, способ, получения, основе, халькогенидов, металлов

Формула / Реферат:

Изобретение относится к металлургии полупроводников, а именно халькогенидов висмута, сурьмы, свинца, цинка, олова, германия и твердых растворов на их основе.Задача - разработка способа получения полупроводниковых материалов на основе халькогенидов тяжелых цветных металлов с надежно воспроизводимыми и устойчивыми термоэлектрическими свойствами.Технический результат достигается тем, что исходные материалы, представляющие халькогены, и тяжелые...

Номер предварительного патента: 8313

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Бактыбаев Киргизбай, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Ерматов Садвакас Ерматович, Тогжигитов Кадыр

МПК: C30B 29/06

Метки: силикагеля, монокристалл

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...

Номер предварительного патента: 8314

Опубликовано: 15.12.1999

Авторы: Бактыбаев Киргизбай, Орозбаев Раш, Бишимбаев Валихан Козыкеевич, Тогжигитов Кадыр

МПК: C30B 29/06

Метки: силикагеля, поликристалл

Формула / Реферат:

Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...

Номер предварительного патента: 4275

Опубликовано: 14.03.1997

Авторы: Каппаров Кайрат Каппарович, Таурбаев Тохтар Искатаевич, Омаров Марат Ахметович, Буранбаев Мэлс Жаканович

МПК: C30B 35/00

Метки: получения, осуществления, монокристаллических, устройство, углеродных, пленок, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к способам получения углеродных пленок, применяемых в обрабатывающей, ювелирной промышленностях, оптике (в том числе рентгеновской) и электронике. Технический результат, достигаемый изобретением, заключается в получении монокристаллических углеродных пленок. Способ получения монокристаллических пленок в вакуумной камере включает получение углеродной плазмы путем распыления катода-мишени из твердого углерода, ускорения ионов...

Номер полезной модели: 24

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Верминичев Борис Михайлович, Смагулов Даулет Уялович

МПК: C30B 25/14, B01J 3/03

Метки: установка, технологическая, сверхвысоковакуумная

Формула / Реферат:

Полезная модель относится к области вакуумных реакторов, в частности, к сверхвысоковакуумным технологическим установкам. Технический результат - повышение надежности конструкций установок для проведения работ в сверхвакуумном режиме достигается в сверхвысоковакуумной технологической установке, содержащей разъемную рабочую камеру с кольцевой герметизацией по плоскости разъема и вакуумный насос. Новым в сверхвысоковакуумной технологической...

Номер патента: 1257

Опубликовано: 15.09.1994

Автор: Таурбаев Токтар Искатаевич

МПК: C30B 19/00

Метки: пленок, получения, способ

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения. тонких отделяемых пленок АIII - BV - методом жидкофазной эпитаксии. Цель изобретения - предотвращение разрушения пленок и уменьшение расхода Ga. Способ включает последовательное формирование металлического слоя и пленки Alx Ga1-xAs или АlxGа1-xP на затравочной подложке GaAs или GaP из расплава, содержащего Sn, A1 и 8-10 ат.% Ga, отделение...

Номер патента: 582

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Сарсембаева Хабиба Камаловна, Жилкыбаева Магрипа Шожегуловна

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: кристаллов, термообработки, оптического, способ, кальцита

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов оптического кальцита, включающий нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью необратимого устранения желтой радиационной окраски и отбора радиационностойких кристаллов, выдержку ведут при 770-830°К в течение 6-8 ч, а нагрев и охлаждение проводят с одинаковой скоростью.

Номер предварительного патента: 224

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Синяев Владимир Акимович, Сарсенбаев Канат Туребаевич, Левин Владимир Леонидович

МПК: C30B 9/10

Метки: меди, монофосфата, способ, перекристаллизации

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области получения неорганических фосфорсодержащих солей, в частности фосфатов в виде монокристаллов, которые могут быть использованы в оптоэлектронике. Монофосфат меди (11) сплавляют в инертной среде при 600-650° С с медью при соотношении соль: металл равном (75-85):(15-25) мас.% с последующим медленным охлаждением раствора-расплава и выделением перекристаллизованного продукта.