C30B 29/06 — кремний
Теплообменник для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала
Номер патента: 30495
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: КОУДУРИЕР, Николас, ПИХАН, Этьенн, КАМЕЛ, Дэнис
МПК: F28F 3/04, C30B 11/00, C30B 29/06...
Метки: кристаллизации, теплообменник, системы, отверждения, полупроводникового, материала
Формула / Реферат:
31 РефератТеплообменник (1) для системы отверждения и/или кристаллизации полупроводникового материала, содержащий первый элемент (2) и второй 5 элемент (3), при этом упомянутые первый и второй элементы выполнены с возможностью перемещения друг относительно друга, характеризующийся тем, что первый элемент содержит первый рельеф (21), а второй элемент содержит второй рельеф (31), при этом упомянутый первый рельеф выполнен с возможностью...
Устройство для получения кристаллического материала в тигле, имеющем неравномерное тепловое сопротивление
Номер патента: 30494
Опубликовано: 15.10.2015
Авторы: ПИАН, Этьен, КУСТЬЕ, Фабрис, КАМЭЛЬ, Дэни, ЖУЕНИ, Анис
МПК: C30B 29/06, C30B 11/14, C30B 11/00...
Метки: сопротивление, имеющем, тигле, материала, получения, устройство, тепловое, кристаллического, неравномерное
Текст:
...лавки материала, подлежащего кристаллизации,при сохранении зародыша кристаллизации (3) как минимум, частично, в твердом состоянии,- создание второго термического градиента в устройстве, представляющем тигель (10), для кристаллизации материала,находящегося в расплавленном состоянии,на зародыше кристаллизации (3). 21. Способ по пункту 20, отличающийся тем,что зародыш кристаллизации расположен в выемке нижней части (2) устройства, образующего...
Способ получения тонкопленочных структур на основе кремния
Номер инновационного патента: 30246
Опубликовано: 17.08.2015
Авторы: Токмолдин Серекбол Жарылгапович, Чучвага Николай Алексеевич, Омаров Марат Ахметович, Клименов Василий Васильевич, Токмолдин Нурлан Серекболович
МПК: C30B 30/02, C30B 30/04, C30B 29/06...
Метки: получения, способ, основе, тонкопленочных, кремния, структур
Формула / Реферат:
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и солнечной энергетике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых кремниевых структур. Демонстрируется способ оптимизации метода магнетронного распыления для получения тонкопленочных кремниевых структур посредством регулирования разности потенциалов между управляющим катодом и анодом магнетронной установки. Это позволяет варьировать условия осаждения тонких пленок,...
Способ получения монокристаллического кремния из рудного сырья и устройство для осуществления способа
Номер инновационного патента: 21224
Опубликовано: 15.05.2009
Авторы: ТЕН Роберт Константинович, КИМ Леонид Алексеевич
МПК: C01B 33/023, C01B 33/025, C30B 29/06...
Метки: способ, рудного, монокристаллического, кремния, устройство, сырья, получения, осуществления, способа
Формула / Реферат:
Предлагаемый способ и устройство относятся к технологии получения монокристаллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния.Задачей предлагаемого технического решения является создание способа получения моно-кристалллического кремния высокой чистоты непосредственно из рудного сырья, минуя стадии получения технического и поликристаллического кремния и...
Монокристалл силикагеля
Номер предварительного патента: 8313
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Тогжигитов Кадыр, Ерматов Садвакас Ерматович, Бактыбаев Киргизбай, Бишимбаев Валихан Козыкеевич
МПК: C30B 29/06
Метки: монокристалл, силикагеля
Формула / Реферат:
Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...
Поликристалл силикагеля
Номер предварительного патента: 8314
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Бактыбаев Киргизбай, Тогжигитов Кадыр, Орозбаев Раш, Бишимбаев Валихан Козыкеевич
МПК: C30B 29/06
Метки: силикагеля, поликристалл
Формула / Реферат:
Изобретение относится к устройству для сборки и ремонта рельсошпальных звеньев железнодорожного пути с разнотипными шпалами. Технический результат изобретения - повышение эффективности линии путем обеспечения возможности сборки звеньев с разнотипными шпалами. Звеносборочная линия содержит конвейер для подачи ремонтируемых звеньев, рельсопитатель, шпалопитатель с механизмом разделения шпал, сверлильный станок, конвейер для подачи шпал с...