Дергачева Маргарита Борисовна
Способ изготовления тонких пленок ZnS
Номер инновационного патента: 31176
Опубликовано: 16.05.2016
Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Хусурова Гульнур Марсовна, Леонтьева Ксения Александровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна, Журинов Мурат Журинович
МПК: C01G 9/08, H01L 31/06, C23C 16/30...
Метки: способ, изготовления, пленок, тонких
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам изготовления тонких нанокристаллических пленок сульфида цинка как оптического элемента прозрачного в инфракрасной области с улучшенным пропусканием в видимой области. Пленка сульфида цинка может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения ZnS с заданной стехиометрией и шириной запрещенной зоны 4,0...
Способ приготовления коллоидных растворов сульфида кадмия
Номер инновационного патента: 31175
Опубликовано: 16.05.2016
Авторы: Хусурова Гулинур Марсовна, Гуделева Наталия Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Леонтьева Ксения Александровна
МПК: H01L 31/06, G02B 5/20, H01L 31/18...
Метки: способ, растворов, приготовления, кадмия, сульфида, коллоидных
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления коллоидного раствора сульфида кадмия. Известные способы получения коллоидного раствора наночастиц сульфида кадмия используют органические растворители, повышенную температуру, токсичные растворы сероводорода и процесс проводят в несколько стадий.Предлагаемый способ позволяет упростить процесс за счет использования электрохимического метода, который проводится в одну стадию при невысоком...
Двухстадийный способ приготовления пленки соединения CuInXGa1-X Se2с повышенным содержанием галлия
Номер инновационного патента: 28251
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович
МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...
Метки: двухстадийный, приготовления, повышенным, соединения, способ, содержанием, cuinxga1-x, галлия, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIni_xGaxSe2 с увеличенным содержанием галлия.В предложенном способе электроосаждение проводят в две стадии при постоянно поддерживаемых потенциалах. В первой стадии при потенциале -0,7В на стеклоуглеродном электроде осаждается соединение CulnSe2, во второй стадии -при потенциале -0,60± 0,05 В соединение CuGaSe2. Используют водные электролиты на основе сульфаминовой или...
Способ приготовления пленки соединения CuGaSe2.
Номер патента: 26506
Опубликовано: 17.03.2014
Авторы: Бейсембаева Гульнар Жакаевна, Кенжалиев Багдаулет Кенжалиевич, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Гуделева Наталья Николаевна
МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: cugase2, пленки, способ, соединения, приготовления
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки диселенида галлия меди - CuGaSe2, которая может быть использована в качестве дешевого и эффективного фотопреобразующего материала. Предлагаемый способ позволяет получить пленки полупроводникового соединения CuGaSe2 с заданной стехиометрией и шириной .запрещенной зоны 1,4 эВ. Пленки соединения CuGaSe2 применяются в составе тонкопленочных каскадных фотоэлементов для преобразования солнечного...
Способ получения пленки соединения CuInSe2 методом цементации
Номер инновационного патента: 26412
Опубликовано: 15.11.2012
Авторы: Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Журинов Мурат Журинович, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: цементации, получения, пленки, соединения, cuinse2, способ, методом
Формула / Реферат:
РЕФЕРАТПредлагаемый способ включает получение пленок соединения CuInSea на медных подложках или стекле, покрытом медной пленкой с использованием метода цементации. Соединение общей формулы CuInSe2 „является наиболее перспективным полупроводником, который все более широко применяется для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Тонкие пленки данного соединения способны абсорбировать до 90% солнечного света и преобразовывать...
Способ приготовления пленки соединения CuInxGa1-xSe2
Номер инновационного патента: 22689
Опубликовано: 15.07.2010
Авторы: Пенькова Наталья Владимировна, Дергачева Маргарита Борисовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич
МПК: O1L 31/18, C25D 9/04, O1L 31/06...
Метки: приготовления, соединения, способ, cuinxga1-xse2, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки соединения CuIn1-хGaxSe2 Известный способ электроосаждения пленки медь-индиевого диселенида, не содержащего галлий, на поверхности титанового или никелевого катода из фонового электролита, в котором присутствуют ионы меди (II), индия (III), селена (IV) не позволяет получать полупроводниковые плёнки с достаточно высоким током короткого замыкания, повышенным напряжением холостого хода.Благодаря...
Способ получения пленки CdTe из неводного электролита на основе этиленгликоля
Номер инновационного патента: 22447
Опубликовано: 15.04.2010
Авторы: Ким Ирина Эдуардовна, Уразов Кажмухан Аманкельдиевич, Пенькова Наталья Владимировна, Дергачева Маргарита Борисовна, Гуделева Наталья Николаевна
МПК: C25D 9/04
Метки: пленки, неводного, электролита, основе, способ, этиленгликоля, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в тонкопленочных солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe путем электроосаждения при постоянном потенциале из аммиачно-хлоридного электролита, содержащего 1.10-2 М CdSO4 и 1.10-2 М К2ТеO3 при соотношении кадмия (II): теллуру (IV) равном 1:1, не позволяет полностью устранить соосаждение...
Электролизер для осаждения пленки CdTe
Номер инновационного патента: 20696
Опубликовано: 15.01.2009
Автор: Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: C25D 17/00
Метки: осаждения, пленки, электролизер
Формула / Реферат:
Изобретение относится к устройствам электролизера для осаждения пленки CdTe. Предложенный электролизер включает непроточный реактор, снабженный электродами. В качестве электродов используют четыре анода, выполненные из графита, и восемь катодов, выполненных из стеклянных пластин, покрытых оксидом олова с нанесенным на него слоем сульфида кадмия. Электроды размещены в вертикальной плоскости реактора в следующем чередовании: катод- анод- катод-...
Способ получения пленки сульфида кадмия
Номер инновационного патента: 20074
Опубликовано: 15.09.2008
Авторы: Пенькова Наталья Владимировна, Гуделева Наталия Николаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Димитровна
МПК: C23C 18/06, C01G 11/02
Метки: сульфида, получения, способ, кадмия, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленок сульфида кадмия, который широко используют в полупроводниковых приборах. Известный способ получения сульфида кадмия химическим осаждением из щелочного раствора комплексной соли кадмия тиомочевиной не позволяет получать пленки высокого качества. Благодаря тому что в предложенном способе осаждение ведут на стеклянную подложку, покрытую пленкой оксида олова из раствора, содержащего, М: сульфат...
Способ приготовления пленки соединения CuInSe2
Номер предварительного патента: 19124
Опубликовано: 15.02.2008
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович
МПК: H01L 31/06, C25D 9/04, H01L 31/18...
Метки: cuinse2, соединения, приготовления, способ, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способу приготовления пленки соединения CuInSe2.Способ осуществляют путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы меди (II), селена (III), индия (IV) и последующего отжига пленки, отличающийся тем, что в качестве катода используют стеклоуглеродный или углеситаловый электрод, в качестве электролита - водный раствор, содержащий,М: CuSO4 - 5·10-3, In2(SО4)37Н2О - 2·10-2,...
Способ приготовления пленки соединения In2Se3
Номер предварительного патента: 18149
Опубликовано: 15.12.2006
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович, Григорьева Валентина Петровна
МПК: H01L 31/18, C25D 9/04, H01L 31/06...
Метки: способ, приготовления, пленки, in2se3, соединения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры In2Se3, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2. Известный способ приготовления пленки соединения In2Se3 путем электроосаждения на поверхности катода в присутствии фонового электролита, содержащего ионы индия (III) и селена (IV) не позволяет получать пленки со строго заданной стехиометрией - In2Se3. Благодаря тому, что в предложенном способе в качестве...
Способ получения пленки CdTe с нанокристаллической структурой
Номер предварительного патента: 18150
Опубликовано: 15.12.2006
Авторы: Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: H01L 49/02
Метки: нанокристаллической, пленки, структурой, способ, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения пленок полупроводникового соединения CdTe с нанокристаллической структурой, применяемых в солнечных элементах. Известный способ получения пленок CdTe с нанокристаллической структурой с размером зерен 80 Å путем электроосаждения при постоянном потенциале с наложением импульсного тока из органического растворителя, содержащий кадмий (II) и теллур (IV) не позволяет полностью устранить соосаждение...
Способ приготовления пленки соединения Cu2Se
Номер предварительного патента: 17678
Опубликовано: 15.08.2006
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Чайкин Владимир Владимирович
МПК: C25D 9/04, H01L 31/06, H01L 31/18...
Метки: соединения, приготовления, cu2se, способ, пленки
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам приготовления пленки гетероструктуры Cu2Se, которая является составной частью тройного соединения CuInSe2, используемого в качестве фотоэлемента в процессах преобразования солнечной энергии в электрическую. Предложенный способ получения пленки соединения Cu2Se заключается в электроосаждении на поверхности катода при постоянном потенциале. Отличительной особенностью предлагаемого изобретения является то, что в...
Способ получения соединения CdxHg(1-x)Te в виде пленки
Номер патента: 11890
Опубликовано: 15.06.2006
Авторы: Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: C01G 19/04, C01G 11/00, C01G 13/00...
Метки: получения, соединения, виде, пленки, cdxhg(1-x)te, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения полупроводникового соединения CdõHg1-õTe, иcпользуемого в детекторах ИК-излучения, для преобразования излучения в области длин волн 8-13 мкм и для преобразования солнечного излучения как составляющая часть в каскадном элементе.Существующие методы не позволяют получать пленки однородного заданного состава.По предлагаемому способу пленки CdхHg1-хTe получают путем электрохимического...
Композиция для ртутных ламп высокого давления
Номер предварительного патента: 16507
Опубликовано: 15.11.2005
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна
МПК: H01J 61/20, H01J 61/18
Метки: композиция, давления, высокого, ламп, ртутных
Формула / Реферат:
Изобретение относится к светотехническойпромышленности, в частности, к составам композиции для наполнения газоразрядных ламп высокогодавления типа ДРЛ. Известная композиция, содержащая ртуть и олово, не обеспечивает достаточновысокий индекс цветопередачи и красное отношение для ртутных ламп высокого давления. Благодаря тому, что предлагаемая композиция дополнительно содержит свинец при следующем соотношении компонентов, мас. % : ртуть - 20-52;...
Электролит для получения пленки CdTe
Номер предварительного патента: 15423
Опубликовано: 15.09.2005
Авторы: Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна, Протопопова Гертруда Дмитриевна, Фогель Лидия Алексеевна, Стацюк Вадим Николаевич
МПК: C25D 3/26, C25D 3/02, C25D 3/00...
Метки: электролит, пленки, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4 М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного осаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...
Электролит для получения пленки CdTe
Номер предварительного патента: 15424
Опубликовано: 15.09.2005
Авторы: Протопопова Гертруда Дмитриевна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна, Григорьева Валентина Петровна, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: C25D 3/00, C25D 3/02, C25D 3/26...
Метки: пленки, получения, электролит
Формула / Реферат:
Изобретение относится к составам электролитадля получения пленок полупроводникового соединения CdTe, применяемых в солнечных элементах, атакже в инфракрасных детекторных системах. Известный сернокислый электролит с рН=2, содержащий 2,5⋅10-4М 2,2′-дипиридила при молярном соотношении кадмия (II) к теллуру (IV), равном 1:1, непозволяет получать пленки высокого качества из-засовместного соосаждения элементарного теллура сосадком CdTe. Благодаря...
Способ получения пленки CdTe
Номер предварительного патента: 13843
Опубликовано: 15.12.2003
Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Григорьева Валентина Петровна, Фогель Лидия Алексеевна, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: H01L 49/02
Метки: пленки, способ, получения
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам полученияпленок полупроводникового соединения CdTe,применяемых в солнечных элементах, а также винфракрасных детекторных системах. Известныйспособ получения пленок CdTe путемэлектроосаждения при постоянном потенциале наповерхности электропроводной подложки вприсутствии фонового электролита, содержащегокадмий (II) и теллур (IV), сложен и не позволяетполучать пленки высокого качества. Благодарятому, что в...
Способ получения пленок теллурида ртути и их идентификации
Номер предварительного патента: 10138
Опубликовано: 16.04.2001
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Абдрахимова Айжамал Рахматуллаевна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: H01L 49/02
Метки: пленок, теллурида, получения, способ, идентификации, ртути
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области получения пленок полупроводникового соединения HgTe.Предлагаемый электрохимический способ получения пленок HgTe и их идентификации является одним из наиболее технологичных и дешевых. Основное преимущество - возможность проведения идентификации пленок HgTe по мере их получения методом электроосаждения на поверхности электрода из материала с n-типом проводимости - стеклоуглерода или титана в присутствии фонового...
Способ вольтамперометрического определения теллура (IV) в металлических сплавах
Номер предварительного патента: 7424
Опубликовано: 15.04.1999
Авторы: Дергачева Маргарита Борисовна, Стацюк Вадим Николаевич, Фогель Лидия Алексеевна
МПК: G01N 27/48, C01B 19/00
Метки: теллура, металлических, сплавах, вольтамперометрического, определения, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области аналитической химии, а именно к способам определения теллура (IV) в растворах вольтамперометрическим методом.Для упрощения способа определения теллура (IV) и расширения диапазона определяемой концентрации предложен способ вольтамперометрического определения теллура в металлических сплавах с использованием никелевого индикаторного электрода.Способ основан на электровосстановлении металлического теллура до...
Способ полярографического определения индия в металлическом галлии
Номер предварительного патента: 5611
Опубликовано: 15.12.1997
Авторы: Стацюк Вадим Николаевич, Дергачева Маргарита Борисовна
МПК: G01N 27/48
Метки: галлии, металлическом, определения, способ, полярографического, индия
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области аналитического определения индия в металлическом галлии. Предлагаемый полярографический способ позволяет определять индий в присутствии большого количества галлия в одну стадию путем перевода анализируемой пробы в раствор фонового электролита с последующей регистрацией максимального тока электровосстановления и определением индия по калибровочной зависимости максимального тока электровосстановления от концентрации...
Электролит с рубидий-катионной проводимостью
Номер патента: 4120
Опубликовано: 16.12.1996
Авторы: Касьянов Эрнст Алексеевич, Хобдабергенова Гульмира Рзабаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Шатрова Елена Геннадьевна
МПК: G01N 27/406
Метки: электролит, рубидий-катионной, проводимостью
Формула / Реферат:
Изобретение относится к разработке и применению электродно-активных материалов, в частности электролита с рубидий-катионной проводимостью, необходимого для создания рубидиевого электрода сравнения. Цель изобретения - повышение устойчивости электролита и обеспечение ионной проводимости по рубидию в солевых и металлических расплавах в интервале 150- 500°С. Поставленная цель достигается тем, что электролит с рубидий-катионной проводимостью содержит...
Электролит с цезий-катионной проводимостью
Номер патента: 3583
Опубликовано: 10.06.1996
Авторы: Хобдабергенова Гульмира Рзабаевна, Дергачева Маргарита Борисовна, Шатрова Елена Геннадьевна
МПК: G01N 27/406
Метки: электролит, цезий-катионной, проводимостью
Формула / Реферат:
Изобретение относится к разработке и применению электродно-активных материалов, в частности электролита с цезий-катионной проводимостью, необходимого для создания цезиевого электрода сравнения. Цель изобретения - повышение устойчивости электролита и обеспечение ионной проводимости по цезию в солевых и металлических расплавах в температурном интервале 150-600°С. Поставленная цель достигается тем, что электролит с цезий-катионной проводимостью...