Дмитриев Александр Григорьевич
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5
Номер предварительного патента: 8359
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Дмитриев Александр Григорьевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич
МПК: H01L 21/02
Метки: контактов, полупроводниковым, соединениям, изготовления, а3в5, омических, способ
Формула / Реферат:
Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...