F21K — Источники света, не отнесенные к другим группам
Способ понижения температуры нагрева светодиода (варианты)
Номер инновационного патента: 27078
Опубликовано: 14.06.2013
Авторы: Тарасенко Игорь Романович, Әбдіғапар Сағадат Едігеұлы
МПК: F21K 99/00
Метки: нагрева, светодиода, понижения, температуры, варианты, способ
Формула / Реферат:
В мире ускоренными темпами идёт процесс замены люминесцентных и ламп накаливания на более эффективные источники излучения света на полупроводниковые светодиодные лампы (LED). Исключительным достоинством LED является то, что их потребляемая мощность в несколько раз меньше, а срок их службы составляет в 10-20 раз больше по сравнению с традиционными и люминесцентными лампами. Сам по себе светодиод может светить очень долго, возможно, что и 100...
Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечением люминофоров “Технология “GREENLIGHT”
Номер инновационного патента: 26626
Опубликовано: 25.12.2012
Авторы: Калиуллин Сержан Кабылкакович, Аязбаев Серик Абуталипович, Шакенов Ердулла Абдирханулы, Копбосынов Нурлан Бектасович, Кондыбаев Ерлан Сергазиевич
Метки: длительным, greenlight, прибора, технология, люминофоров, способ, светового, изготовления, послесвечением
Формула / Реферат:
Способ изготовления светового прибора с длительным послесвечениемлюминофоров «Технология «GREENLIGHT»Жарық тускеннен кейін өздігінен жарқырайтын люминофорлы«Технология «GREENLIGHT» жарық аспабын жасау тәсілі Изобретение относится области светотехники и может быть использовано при создании световых приборов различных модификаций, основанных на длительном послесвечении люминофоров, после прекращения их возбуждения...
Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов
Номер предварительного патента: 14383
Опубликовано: 05.05.2004
Автор: Сармуханов Ербол Тулегенович
МПК: H01L 33/00, F21K 2/00
Метки: кристаллов, щелочногалоидных, усиления, люминесценции, способ, собственной
Формула / Реферат:
Изобретение относится к физике твердого телаи может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов - твердотельных сцинтилляционных детекторов.Результатом изобретения является улучшениелюминесцентных свойств, обусловленное увеличением интенсивности полосы излучения, повышениенадежности и долговечности, простота реализацииспособа усиления собственной люминесценции,упрощение технологии изготовления, стабильностьи улучшение их...
Способ создания центров интенсивного люминесцентного излучения в полупроводниках
Номер предварительного патента: 8724
Опубликовано: 15.03.2000
Авторы: Сериков Тулеуш Пауеденович, Ибраев Бауржан Мухтарханович, Джумамухамбетов Насихан Гильманович, Баимбетов Фазылхан Баимбетович
МПК: F21K 2/08, H01L 33/00
Метки: центров, способ, люминесцентного, интенсивного, излучения, создания, полупроводниках
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих полупроводниковых приборов.Техническим результатом изобретения является улучшение люминесцентных свойств полупроводников, обусловленное увеличением интенсивности линии излучения, упрощение технологии изготовления, стабильность и улучшение их параметров, повышение качества и уменьшение повреждений кристаллов за счет исключения механических...