Францев Юрий Валерьевич

Номер патента: 31627

Опубликовано: 30.09.2016

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 31/06

Метки: энергии, солнечной, преобразователь, комбинированный

Формула / Реферат:

Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...

Номер инновационного патента: 31261

Опубликовано: 15.06.2016

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Мессерле Владимир Ефремович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович, Лаврищев Олег Александрович

МПК: H01L 31/06

Метки: фотопреобразователь, концентрированного, излучения

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...

Номер инновационного патента: 30019

Опубликовано: 15.06.2015

Авторы: Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия-алюминия, фосфида, расположенной, получения, монокристаллической, способ, свободно, пленки, арсенида

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...

Номер инновационного патента: 27952

Опубликовано: 25.12.2013

Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 31/06

Метки: излучения, концентрированного, фотопреобразователь

Формула / Реферат:

Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...

Номер инновационного патента: 25347

Опубликовано: 20.12.2011

Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: соединения, получения, металла, полупроводникового, кластеров, способ, подложке, группы

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...

Номер инновационного патента: 21040

Опубликовано: 16.03.2009

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/208

Метки: формирования, арсенида, монокристаллической, фосфида, способ, галлия-алюминия, мембраны

Формула / Реферат:

Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...

Номер инновационного патента: 20593

Опубликовано: 15.12.2008

Автор: Францев Юрий Валерьевич

МПК: H01L 21/00

Метки: рисунка, способ, формирования, контактного

Формула / Реферат:

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, в частности, к способам создания контактов к полупроводниковым структурам и может быть использовано для форми-рования фронтальной контактной сетки при изго-товлении солнечных элементов.Достигаемый технический результат - повы-шение рабочей температуры маскирующего слоя и экологической чистоты процесса.Предлагается способ формирования контактного рисунка, включающий локальное...