Францев Юрий Валерьевич
Комбинированный преобразователь солнечной энергии
Номер патента: 31627
Опубликовано: 30.09.2016
Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 31/06
Метки: солнечной, энергии, преобразователь, комбинированный
Формула / Реферат:
Предлагается комбинированный преобразователь солнечной энергии, состоящий из герметичной рабочей камеры прямоугольной формы, образованной фронтальной прозрачной пластиной и тыльной пластиной, соединенными по периметру герметизирующей прокладкой, фотопреобразователя на основе негерметизированных солнечных элементов, расположенного внутри рабочей камеры параллельно фронтальной пластине с зазором к ней и закрепленного на тыльной пластине, причем по...
Фотопреобразователь концентрированного излучения
Номер инновационного патента: 31261
Опубликовано: 15.06.2016
Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Мессерле Владимир Ефремович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Владимир Степанович
МПК: H01L 31/06
Метки: фотопреобразователь, концентрированного, излучения
Формула / Реферат:
Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыловым контактами, размещенного внутри фотоприемной камеры, образованной прозрачной пластиной и тыльным электродом, герметично соединенными по периметру так, что между фотоэлектрическим элементом и прозрачной пластиной имеется зазор, а тыльный контакт непосредственно присоединен к тыльному электроду, причем в фотоэлектрическом...
Способ получения свободно расположенной монокристаллической пленки арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 30019
Опубликовано: 15.06.2015
Авторы: Антощенко Владимир Степанович, Антощенко Евгений Владимирович, Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: пленки, способ, фосфида, получения, галлия-алюминия, свободно, монокристаллической, расположенной, арсенида
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно жидкостной эпитаксии соединений А3В5, и может быть использовано для создания тонкопленочных полупроводниковых приборов, в частности, солнечных элементов.Достигаемый технический результат снижение расходамонокристаллической подложки арсенида или фосфида галлия и получение свободно расположенных монокристаллических пленок большой площади.Предлагается способ получения...
Фотопреобразователь концентрированного излучения
Номер инновационного патента: 27952
Опубликовано: 25.12.2013
Авторы: Лаврищев Олег Александрович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич, Антощенко Евгений Владимирович
МПК: H01L 31/06
Метки: концентрированного, фотопреобразователь, излучения
Формула / Реферат:
Предлагается фотопреобразователь концентрированного излучения, состоящий из фотоэлектрического элемента с фронтальным и тыльным контактами и тыльного электрода, присоединенного к тыльному контакту, в которых выполнены распределенные по площади соосные сквозные отверстия, через которые фронтальный контакт соединен с помощью токопроводящих перемычек с фронтальным электродом, расположенным с зазором под тыльным электродом, причем фронтальный и...
Способ получения кластеров металла III группы на подложке полупроводникового соединения А 3 В 5
Номер инновационного патента: 25347
Опубликовано: 20.12.2011
Авторы: Антощенко Евгений Владимирович, Антощенко Владимир Степанович, Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: соединения, подложке, полупроводникового, способ, металла, получения, кластеров, группы
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к методам создания каталитических областей на поверхности подложек соединений А3В5 для последующего выращивания игольчатых кристаллов или наноостровков, а также для создания гетероструктур с захороненными слоями, и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных полупроводниковых приборов, в частности фоточувствительных и светоизлучающих матриц. Достигаемый технический...
Способ формирования монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия
Номер инновационного патента: 21040
Опубликовано: 16.03.2009
Автор: Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/208
Метки: монокристаллической, мембраны, арсенида, галлия-алюминия, способ, фосфида, формирования
Формула / Реферат:
Изобретение относится к технологии полупроводников, преимущественно к жидкостной эпитаксии соединений А3 В5 и может быть использовано для создания монокристаллических мембран и тонкопленочных полупроводниковых приборов с квантовыми ямами, в частности гетеролазеров.Достигаемый технический результат - сохранение целостности монокристаллической мембраны из арсенида или фосфида галлия-алюминия при удалении расплава.Предлагается способ формирования...
Способ формирования контактного рисунка
Номер инновационного патента: 20593
Опубликовано: 15.12.2008
Автор: Францев Юрий Валерьевич
МПК: H01L 21/00
Метки: контактного, рисунка, формирования, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов, в частности, к способам создания контактов к полупроводниковым структурам и может быть использовано для форми-рования фронтальной контактной сетки при изго-товлении солнечных элементов.Достигаемый технический результат - повы-шение рабочей температуры маскирующего слоя и экологической чистоты процесса.Предлагается способ формирования контактного рисунка, включающий локальное...