H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей
Полупроводниковый гетеропереход и способ его изготовления
Номер предварительного патента: 11566
Опубликовано: 15.05.2002
Авторы: Кеншинбаев Нурлан Кенжебаевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Даутов Аскар Леонидович, Досмаилов Меержан Абишевич
МПК: H01L 21/02
Метки: способ, полупроводниковый, гетеропереход, изготовления
Формула / Реферат:
Предлагаемая группа изобретений относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к созданию гетеропереходов и полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на их основе, и технологии приборостроения.Для уширения спектральной фоточувствительности гетероперехода в качестве широкозонного полупроводника используется биополимерное покрытие, которое наносится при комнатной температуре на воздухе.Результаты могут быть использованы при...
Способ создания p-n переходов
Номер предварительного патента: 8723
Опубликовано: 15.03.2000
Автор: Рамазанов Тлеккабул Сабитович
МПК: H01L 21/02
Метки: создания, переходов, способ
Формула / Реферат:
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении p-n переходов в полупроводниковых приборах.Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления стабильных резких p-n переходов в монокристаллах А3В5, улучшение электрических свойств переходов, повышение их надежности и долговечности, повышение количества и качества производимых приборов за счет обхода термической технологии, простота...
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям А3В5
Номер предварительного патента: 8359
Опубликовано: 15.12.1999
Авторы: Джаманбалин Кадыргали Коныспаевич, Тыныштыкбаев Курбангали Байназарович, Дмитриев Александр Григорьевич
МПК: H01L 21/02
Метки: а3в5, изготовления, соединениям, контактов, полупроводниковым, способ, омических
Формула / Реферат:
Предлагаемое техническое решение относится к полупроводниковой текинке, в частности, к технологии изготовления омических контактов к полупроводникам и может быть использовано при создании омических контактов к полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам. Достигаемый технический результат - уменьшение омического сопротивления и повышение чистоты контакта. Для создания планарного омического контакта к полупроводниковым соединениям А3В5...