H01L 21/203 — физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием
Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения
Номер инновационного патента: 20594
Опубликовано: 15.12.2008
Авторы: Верменичев Борис Михайлович, Лисицкий Олег Леонидович, Кумеков Серик Ешмухамбетович
МПК: H01L 21/04, H01L 21/203
Метки: способ, получения, полупроводниковый, тонкопленочный, гетеропереход
Формула / Реферат:
Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...