Верменичев Борис Михайлович
Способ получения углеродных наноструктур путем магнетронного реактивного распыления графита в возгоняемых парах ароматических углеводородов
Номер инновационного патента: 29012
Опубликовано: 15.10.2014
Авторы: Байтимбетова Багила Абдисаматовна, Верменичев Борис Михайлович
МПК: B82B 3/00
Метки: наноструктур, углеводородов, способ, графита, получения, возгоняемых, ароматических, магнетронного, парах, углеродных, распыления, реактивного, путем
Формула / Реферат:
Изобретение относится к способам получения углеродных наноструктур, таких как углеродные нанотрубки, нанонити и графеновые структуры, которые могут быть использованы в наноэлектронике в качестве частей электронных схем и приборов.В способе получения углеродных наноструктур путем реактивного магнетронного распыления с ароматическими углеводородами, таких как нафталин, фенантрен, антрацен и др.Предложенным способом получены углеродные...
Способ получения графена
Номер инновационного патента: 28677
Опубликовано: 15.07.2014
Авторы: Байтимбетова Багила Абдисаматовна, Верменичев Борис Михайлович
МПК: B82Y 40/00, B82B 3/00
Метки: получения, графена, способ
Формула / Реферат:
Способ получения графенаИзобретение относится к области получения материалов для наноэлектроники, в частности графена и графеновых структур, которые могут быть использованы как перспективный материал в самых различных приложениях, в том числе, как будущая основа наноэлектроники при возможной замене кремния в интегральных микросхемах.В способе получения графена к чистому порошковому графиту добавляют бензол или толуол и обрабатывают...
Полупроводниковый тонкопленочный гетеропереход n-ZnO/p-CuO и способ его получения
Номер инновационного патента: 20594
Опубликовано: 15.12.2008
Авторы: Верменичев Борис Михайлович, Лисицкий Олег Леонидович, Кумеков Серик Ешмухамбетович
МПК: H01L 21/203, H01L 21/04
Метки: полупроводниковый, получения, способ, тонкопленочный, гетеропереход
Формула / Реферат:
Получение полупроводникового тонкоплёноч-ного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, где в качестве р-слоя используют оксид меди(II) СuО в качестве n-слоя используют оксид цинка ZnO.Способ получения полупроводникового тонко-плёночного гетероперехода n-ZnO/p-CuO, обладаю-щего выпрямляющими свойствами (чувствитель-ными к водороду и ультрафиолетовому свету) при температурах 200-400°С. Создание способа изготов-ления полупроводникового тонкоплёночного...