Юров Виктор Михайлович

Номер инновационного патента: 23223

Опубликовано: 15.11.2010

Авторы: Ибраев Ниязбек Хамзаулы, Юров Виктор Михайлович, Гученко Сергей Алексеевич

МПК: G01N 27/76

Метки: способ, измерения, покрытий, натяжения, поверхностного, осаждаемых

Формула / Реферат:

Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в тонких пленках, а именно измерению поверхностного натяжения осаждаемых покрытий, перспективных для модифицирования поверхности различных материалов и изделий из них.Заявленным способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости микротвердости от толщины осаждаемого покрытия. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять поверхностное...

Номер инновационного патента: 20840

Опубликовано: 16.02.2009

Авторы: Портнов Василий Сергеевич, Юров Виктор Михайлович, Пузеева Марина Петровна

МПК: G01N 27/76

Метки: прогнозных, определения, руд, способ, запасов, магнетитовых, железных, месторождений

Формула / Реферат:

Изобретение относится к оценке запасов минерального сырья, а именно к определению запасов железа магнетитовых месторождений.Заявленным способом предусматривается измерение магнитной восприимчивости железных руд любым методом магниторазведки и, затем, расчет дифференцированных запасов по предложенной формуле. Зная геометрию месторождения, от дифференцированных запасов переходим к общим запасам железа месторождения.Реализация предлагаемого...

Номер инновационного патента: 20595

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Юров Виктор Михайлович, Садык Бейбит

МПК: H01L 21/312

Метки: стеклования, температуры, определения, способ, полимеров

Формула / Реферат:

Изобретение относится к определению теплофизических характеристик полимеров, а именно к определению температуры стеклования полимеров.Заявленным способом предусматривается облу-чение образца полимера УФ-светом и измерение термостимулированной люминесценции (ТСЛ) в режиме равномерного нагрева. В аррениусовых (lnI ~ 103/Т) координатах кривая ТСЛ спрямляется, отсекая на оси абцисс обратную температуру стеклования полимера.Реализация...

Номер инновационного патента: 20584

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Юров Виктор Михайлович, Портнов Василий Сергеевич, Пузеева Марина Петровна

МПК: G01N 27/76

Метки: измерения, поверхностного, материалов, способ, натяжения, магнитных

Формула / Реферат:

Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в твердых телах, а именно измерению поверхностного натяжения в магнитных материалах, перспективных для использования в различных областях техники.Заявленным способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости магнитной воспри-имчивости от размера частиц магнитного материала. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять поверхностное...

Номер инновационного патента: 20583

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Пузеева Марина Петровна, Портнов Василий Сергеевич, Юров Виктор Михайлович

МПК: G01N 27/76

Метки: поверхностного, состояний, плотности, способ, натяжения, поверхностных, диэлектриков, измерения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в твердых телах, а именно измерению поверхностного натяжения и плотности поверхностных состояний диэлектриков, перспективных для использования в различных областях техники.Способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости диэлектрической проницаемости от толщины пленки диэлектриков. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять...

Номер предварительного патента: 20444

Опубликовано: 15.12.2008

Авторы: Юров Виктор Михайлович, Кукетаев Аргын Темиргалиевич, Ещанов Амангельды Нукенович

МПК: G01N 13/02

Метки: измерения, тел, твердых, способ, поверхностного, натяжения

Формула / Реферат:

Изобретение относится к измерению поверхностного натяжения в твердых телах, а именно измерению поверхностного натяжения в диэлектриках, применяемых в различных областях науки и техники.Заявленным способом предусматривается измерение поверхностного натяжения путем определения зависимости интенсивности рентгенолюминесценции от размера частиц диэлектрика. Реализация предлагаемого изобретения позволяет определять поверхностное натяжение диэлектриков...